電界効果トランジスタは、ｐ型Ｓｉ基板上に形成された、Ａｌ ｘ Ｇａ １－ｘ Ｎ（０≦ｘ≦１）からなるコドープ層と、コドープ層の上に形成されたＧａＮ層と、ＧａＮ層の上に形成されたＡｌＧａＮ層とを備え、コドープ層は、不純物元素としてＣとＳｉとを含み、コドープ層におけるＣの不純物濃度は５×１０ １７ ／ｃｍ ３ 以上であり、コドープ層におけるＳｉの不純物濃度はＣの不純物濃度よりも低く、ＧａＮ層におけるＣの不純物濃度は１×１０ １７ ／ｃｍ ３ 以下であり、ＧａＮ層の膜厚は０．７５μｍ以上である。