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发明申请
WO2014115702A1 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 审中-公开
制造半导体器件的方法，基板处理装置和记录介质

  • 专利标题： 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
  • 专利标题（英）： Method for manufacturing semiconductor device, substrate treatment apparatus and recording medium
  • 专利标题（中）： 制造半导体器件的方法，基板处理装置和记录介质
  • 申请号： PCT/JP2014/051060
    申请日： 2014-01-21
  • 公开(公告)号： WO2014115702A1
    公开(公告)日： 2014-07-31
  • 发明人: 坪田　康寿
  • 申请人： 株式会社日立国際電気
  • 申请人地址： 〒1018980 東京都千代田区外神田4丁目14番1号 Tokyo JP
  • 专利权人： 株式会社日立国際電気
  • 当前专利权人： 株式会社日立国際電気
  • 当前专利权人地址： 〒1018980 東京都千代田区外神田４丁目１４番１号 Tokyo JP
  • 优先权： JP2013-011376 20130124
  • 主分类号： H01L21/60
  • IPC分类号： H01L21/60 ;  B23K1/008
半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
摘要：
要約 課題　半導体装置の製造品質を向上させると共に、製造スループット向上させる。 解決手段　表面に酸素含有膜が形成されたハンダを表面に有する基板を、処理室内に設けられた基板支持部に載置させる工程と、処理室内に還元性ガスを供給し、処理室内の熱伝導率を第１の熱伝導率として酸素含有膜を除去する酸化層除去工程と、処理室内に熱伝導性ガスを供給して処理室内の熱伝導率を第２の熱伝導率としてハンダを溶融させるリフロー工程と、を有する。
摘要（中）：

[问题]提高半导体装置的制造质量，提高制造量。 [解决方案]本发明具有以下步骤：将表面上具有焊料的基板安装在基板支撑单元中，所述焊料包括在表面上形成的含氧膜，并且所述基板支撑单元设置在 治疗室 将处理室内的热传导率视为第一热导率，除去用于向处理室内部供给还原气体的氧化层除去工序和含氧膜。 以及回流步骤，用于将热传导气体供应到处理室中，以使处理室内的导热性熔化焊料，被认为是第二导热系数。

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