公开了一种FLASH器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底（101）；半导体衬底中的阱区（102）；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体（109）、位于背栅导体两侧的半导体鳍片（103'）、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质（108），其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括依次设置的浮栅电介质（121）、浮栅导体（122）、控制栅电介质（123）和控制栅导体（124），并且浮栅电介质将浮栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖（107'），并且绝缘帽盖将背栅导体与控制栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。