本発明は、ソース電極と半導体層の間、およびドレイン電極と半導体層の間における接触抵抗を低減することを目的とする。本発明は、ソース電極（１２０）、ドレイン電極（１２２）、ゲート電極（１２４）および半導体層（１０５）を有する半導体装置（１００）であって、前記ソース電極（１２０）および前記ドレイン電極（１２２）の片方または双方と前記半導体層（１０５）との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜（１５０ａ、１５０ｂ）を有することを特徴とする半導体装置（１００）である。