公开(公告)号：WO2007142330A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/JP2007/061638

申请日：2007-06-08

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  小高 秀文 ,  光井 彰 ,  中釜 晋

Inventor： 小高 秀文 ,  光井 彰 ,  中釜 晋

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/457 ,  G02F1/1343 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  G02F1/13439

Abstract: 　ＤＣスパッタリング法、ＤＣパルススパッタリング法およびＡＣスパッタリング法により透明導電膜を形成するのに好適な酸化スズ系ターゲットの提供。 　スパッタリング法を用いて透明導電膜を形成する際に使用されるスパッタリングターゲットであって、酸化スズを主成分とし、亜鉛、ニオブ、チタン、マグネシウム、アルミニウムおよびジルコニウムからなるＡドーパント群から選択される少なくとも一つの元素と；タングステン、タンタルおよびモリブデンからなるＢドーパント群から選択される少なくとも一つの元素と；をドーパントとして含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。

Abstract translation: 公开了一种适用于通过DC溅射法，CD脉冲溅射法或AC溅射法形成透明导电膜的含氧化锡的靶。 更具体地，公开了用于通过溅射工艺形成透明导电膜的溅射靶。 溅射靶包括：以氧化锡为主要成分; 以及选自由锌，铌，钛，镁，铝和锆组成的掺杂剂组A中的至少一种元素和选自由钨，钽和钼组成的掺杂剂组B中的至少一种元素作为掺杂剂。

公开(公告)号：WO2005076292A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：PCT/JP2005/001527

申请日：2005-02-02

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  光井 彰 ,  小高 秀文 ,  米森 重明 ,  赤尾 安彦

Inventor： 光井 彰 ,  小高 秀文 ,  米森 重明 ,  赤尾 安彦

IPC: H01B13/00

CPC classification number: C03C17/245 ,  C03C2217/231 ,  C03C2218/154 ,  C03C2218/328 ,  C03C2218/33 ,  G02F1/13439 ,  H01J9/02 ,  H01J2217/04 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 　容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。 　基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、基板上に光吸収性を有する酸化スズ膜を形成する工程、光吸収性を有する酸化スズ膜の一部をエッチング液で溶解してパターニングする工程、パターニングされた光吸収性を有する酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含むことを特徴とする透明電極の製造方法。

Abstract translation: 公开了一种形成透明电极的方法，该透明电极由具有低电阻和优异透明度并且易于图案化的低成本氧化锡膜组成。 具体公开了形成透明电极的方法，其中在衬底上形成图案化的氧化锡膜。 该方法的特征在于包括在基板上形成光吸收性氧化锡膜的步骤，通过使用蚀刻液部分地溶解膜来图案化光吸收性氧化锡膜的步骤，以及用于加热如此图案化的光 吸收性氧化锡膜，由此得到所需的氧化锡膜。

公开(公告)号：WO2007142043A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/JP2007/060615

申请日：2007-05-24

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  小高 秀文 ,  光井 彰

Inventor： 小高 秀文 ,  光井 彰

IPC: H01B5/14 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 ,  C01G19/02

CPC classification number: C01G19/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/13439

Abstract: 　ガラスフリットの侵食に対して強い耐性を持ち、ガラスフリット接触した状態で焼成しても電気抵抗が増加することのない透明導電膜およびその製造方法を提供する。 　酸化スズを主成分とする透明導電膜であって、前記透明導電膜は、タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデンおよびビスマスからなる群から選択される少なくとも一つ以上の元素をドーパントとして含み、アンチモンおよびインジウムを実質的に含まず、　前記透明導電膜中にドーパントとして含まれる前記元素の総量をＭ A 、前記透明導電膜に含まれるスズ元素の量をＳｎとした場合に、下記式（１），（２）を満たすことを特徴とする透明導電膜。 ０．８　＜　（Ｓｎ）／（Ｓｎ＋Ｍ A ）　＜　１．０　　・・・（１） ０．０１　＜　（Ｍ A ）／（Ｓｎ＋Ｍ A ）　＜　０．２　・・・（２）

Abstract translation: 一种透明导电膜，其具有高耐玻璃料腐蚀性，即使在与玻璃料接触的状态下燃烧时也不会增加电阻; 以及该膜的制造方法。 透明导电膜包括氧化锡作为主要成分，其特征在于透明导电膜含有选自钨，钽，铌，钼和铋作为掺杂剂的一种或多种元素，并且基本上不含锑 也不是铟。 其特征还在于，当透明导电膜中作为掺杂剂包含的元素的总量由M A A表示时，透明导电膜中含有的锡元素的量为 由Sn表示，该膜满足以下关系式（1）和（2）。 0.8 <（SN）/（SN + M A A）<1.0（1）0.01 <（M A A）/（Sn + M A A < ）<0.2（2）

公开(公告)号：WO2005056870A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：PCT/JP2004/018376

申请日：2004-12-09

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  府川 真 ,  小高 秀文 ,  尾山 卓司 ,  光井 彰

Inventor： 府川 真 ,  小高 秀文 ,  尾山 卓司 ,  光井 彰

IPC: C23C14/08

CPC classification number: B01J21/063 ,  B01D53/007 ,  B01D53/885 ,  B01D2255/802 ,  B01J35/004 ,  B01J37/347 ,  C03C17/2456 ,  C03C17/256 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/71 ,  C23C14/083

Abstract: 　親水性、防曇性を有し、透明性に優れ、かつＵＶ光によるガス分解性を有する、可視光応答性を有するＴｉ酸化物膜およびその製造方法並びにＴｉ酸化物膜付き基体を提供する。 　ガラス基板上に形成されたＴｉ酸化物膜であって、１００ｍＷ／ｃｍ ２ の輝度を有するキセノンランプの光を、４００ｎｍ未満の紫外光をカットして前記Ｔｉ酸化物膜に照射しながら前記Ｔｉ酸化物膜に電圧を印加したときの電流値が、暗所における前記Ｔｉ酸化物膜に該電圧と同じ電圧を印加したときの電流値に対して１０００倍以上であるＴｉ酸化物膜。

Abstract translation: 具有亲水性和防雾性的可见光反应性Ti氧化物膜，透明性优异，具有紫外线辐射气体分解能力; 其制造方法; 和具有Ti氧化物膜的基底。 提供了形成在玻璃基板上的Ti氧化物膜，其在将Ti氧化物膜暴露于100mW / cm 2以下的氙灯光的同时施加到Ti氧化物膜上，其中小于400nm的紫外线照射 被切断的电流值至少为在暗处施加相同电压至Ti氧化物膜时所呈现的电流值的1000倍。

公开(公告)号：WO2006132048A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：PCT/JP2006/309425

申请日：2006-05-10

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  猪熊 久夫 ,  樋口 俊彦 ,  光井 彰

Inventor： 猪熊 久夫 ,  樋口 俊彦 ,  光井 彰

IPC: G02B5/02 ,  B32B7/02 ,  G03B21/62

CPC classification number: G03B21/62 ,  C03C17/3405 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0268 ,  G02B5/0278 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/25

Abstract: 　ＰＴＶに用いられる透過型スクリーン、特にＭＤなどの光学エンジンを搭載する高精細なＰＴＶに好適に使用でき、大型化にも対応できる高剛性の透過型スクリーンおよびそれに用いられる拡散板を提供する。 　基板と、基板上に形成された光拡散層とを含む光拡散板であって、光拡散層は、第１マトリックスおよび第１マトリックスとの屈折率差Δｎ １ が０．０４≦Δｎ １ ≦０．２である第１光拡散材を含む第１光拡散層と、第２マトリックスおよび第２マトリックスとの屈折率差Δｎ ２ が０．００５≦Δｎ ２ ＜０．０４である第２光拡散材を含む第２光拡散層との少なくとも２層からなり、第１光拡散層における第１光拡散材の体積率が４０％未満であり、第２光拡散層における第２光拡散材の体積率が４０％以上であり、光拡散層の層厚が、合計で、硬化後の層厚で５～２００μｍである光拡散板。

Abstract translation: 公开了用于PTV的透射屏幕，特别是高度刚性的透射屏幕，其可以适用于安装有诸如MD的光学引擎的高度精细的PTV。 此外，这种高度刚性的透射屏可以是大尺寸的。 还公开了用于这种透射屏的光扩散板。 具体公开了一种光漫射板，其包括基板和形成在基板上的光扩散层。 光扩散层由至少两层构成，即包含第一基质的第一光扩散层和第一基质的第一光扩散材料，该第一光扩散层的第一基体的折射率差为n <1，满足0.04 = n 1 = 0.2，第二光扩散层包含第二矩阵和第二光扩散材料，该第二光扩散材料具有与第二基体的折射率差n <2 < SUB> 2 <0.04。 第一光漫射材料在第一光扩散层中的体积比小于40％，第二光扩散层中的第二光扩散材料的体积比不小于40％。 固化后光扩散层的厚度总计为5-200μm。

公开(公告)号：WO2006061964A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：PCT/JP2005/020191

申请日：2005-11-02

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  鈴木 すすむ ,  光井 彰 ,  矢尾板 和也 ,  尾山 卓司

Inventor： 鈴木 すすむ ,  光井 彰 ,  矢尾板 和也 ,  尾山 卓司

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: C03C17/3417 ,  C03C2204/08 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/5873 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206

Abstract: 　成膜後の加熱処理、膜表面の研磨、成膜後の酸素プラズマ処理などの複雑な後工程が不要で、表面の平滑性に優れた導電膜付き基体の製造方法を提供する。 　基体上に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成されてなる導電膜付き基体であって、前記導電膜の基板側に酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成されてなる導電膜付き基体であり、前記下地膜中の酸化イットリウムの含有量は、Ｙ ２ Ｏ ３ とＺｒＯ ２ との総量に対して０．１～５０モル％であることが好ましい。

Abstract translation: 用于制备不需要复杂的后处理步骤如导电膜的底层的方法，例如膜后热处理，膜表面抛光和成膜后氧等离子体处理，表面平滑度优异。 提供了具有导电膜的基底，其具有基底，并且叠加有主要由锡掺杂的氧化铟组成的导电膜，其中，其基底侧的导电膜配备有主要由掺杂有氧化锆的氧化锆组成的基底层 氧化钇。 基础层中氧化钇的含量优选为0.1〜50摩尔％，相对于Y 2 O 3 O 3和ZrO _{2 。}

公开(公告)号：WO2004038061A1

公开(公告)日：2004-05-06

申请号：PCT/JP2003/013481

申请日：2003-10-22

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  山田 朋広 ,  志堂寺 栄治 ,  光井 彰 ,  尾山 卓司 ,  神山 敏久

Inventor： 山田 朋広 ,  志堂寺 栄治 ,  光井 彰 ,  尾山 卓司 ,  神山 敏久

IPC: C23C14/08

CPC classification number: G02B1/10 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C28/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42 ,  G02B1/116 ,  G02B1/16 ,  G02B5/285

Abstract: 導電性スパッタリング材を用いて、スパッタリング法により、金属酸化物膜と酸化ケイ素膜との多層膜を基板の上に高速成膜して、膜の応力が緩和された多層膜付き基板とそのような低応力の多層膜付き基板を製造する方法の提供。　基板上に、少なくとも金属酸化物膜と酸化ケイ素膜とを１回以上繰返し積層してなる多層膜付き基板であって、該金属酸化物膜の少なくとも１層が化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物ＭＯ ｘ をターゲット材に用いてスパッタリングを行うことにより成膜されてなる酸素不足が解消された金属酸化物膜であり、かつ該多層膜の応力が−１００MPa～＋１００MPaであることを特徴とする多層膜付き基板。

Abstract translation: 一种具有多层膜的基板，其中通过使用导电溅射材料通过溅射在高速率下在基板上形成由金属氧化物膜和氧化硅膜构成的多层而使膜应力松弛，以及制造这种基板的方法 公开了一种低应力多层膜。 具有通过在基板上重复形成至少金属氧化物膜和氧化硅膜形成的多层膜的基板一次以上，其特征在于，金属氧化物膜的至少一层为这样的金属氧化物膜，其中， 通过使用比作为溅射的靶材料的化学计量组成短的氧的金属氧化物（MOx）来解决氧不足。 具有多层膜的基板的特征还在于，多层膜的应力在-100MPa〜+100MPa的范围内。

公开(公告)号：WO2003101158A1

公开(公告)日：2003-12-04

申请号：PCT/JP2003/006763

申请日：2003-05-29

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  増茂 邦雄 ,  光井 彰

Inventor： 増茂 邦雄 ,  光井 彰

IPC: H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5206

Abstract: 輝度が高く、駆動電圧が低く、消費電力が小さく、信頼性の高い前記ＩＴＯ膜付き基板を用いた有機ＥＬ素子の提供。基板上に、インジウムと錫との酸化物を主成分とする透明導電膜が形成されてなる透明導電膜付き基板であって、モット−ショットキー法により求めた前記透明導電膜の表面キャリア濃度が１．０×１０ ２１ ～１．０×１０ ２３ ｃｍ −３ である透明導電膜付き基板。該陽極と、発光層と、陰極とがこの順に形成され、前記陽極が前記透明導電膜付き基板である有機ＥＬ素子。

Abstract translation: 一种具有ITO膜的基板，具有高亮度，低驱动电压，消耗低功率，显示高可靠性的有机EL元件。 具有大量含有铟和锡的氧化物并形成在基板上的透明导电膜的基板，其中通过Mott-Schottky法确定的透明导电膜的表面载流子的浓度为1.0×10 21至1.0 x 10 23 cm -3。 一种有机EL器件，其包括具有透明导电膜的基板的阳极，发光层和依次形成的阴极。