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Invention Application
WO2014203400A1 ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 审中-公开
干蚀刻方法和半导体器件制造方法

ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法
Abstract:
　エッチングマスク開口率とエッチング対象膜のエッチングレートとの相関関係を取得し、第１ウエハに形成した第１導電膜を第１ドライエッチングすることにより、第１導電膜の第１エッチングレートを算出する。次に、第２ウエハに形成した第２導電膜の上に第２エッチングマスクを形成して、第２導電膜を時間制御エッチングで第２ドライエッチングする際に、開口率とエッチングレートとの相関関係と、第１エッチングレートと、第２導電膜の膜厚から第２導電膜のエッチング時間を決めるものである。
Abstract(Chinese):

在本发明中，获得蚀刻掩模的开口率与待蚀刻的膜的蚀刻速率之间的对应关系，并且对在第一晶片上形成的第一导电膜进行第一干蚀刻，从而进行第一蚀刻 计算第一导电膜的速率。 接下来，当在形成在第二晶片上的第二导电膜上形成第二蚀刻掩模并且使用时间控制蚀刻在第二导电膜上进行第二干蚀刻时，基于第二导电膜的蚀刻时间 孔径比和蚀刻速率之间的对应关系，第一蚀刻速率和第二导电膜的膜厚度。

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
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