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WO2015020332A1 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
审中-公开
通过直接辐射电磁波形成导电图案的方法和具有导电图案的树脂结构
- Patent Title: 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
- Patent Title (English): Method of forming conductive pattern through direct irradiation of electromagnetic waves, and resin structure having conductive pattern
- Patent Title (中): 通过直接辐射电磁波形成导电图案的方法和具有导电图案的树脂结构
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Application No.: PCT/KR2014/006756Application Date: 2014-07-24
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Publication No.: WO2015020332A1Publication Date: 2015-02-12
- Inventor: 김재현 , 김재진 , 박철희 , 박치성 , 전신희 , 정상윤 , 정한나
- Applicant: 주식회사 엘지화학
- Applicant Address: 150-721 서울시 영등포구 여의대로 128, Seoul KR
- Assignee: 주식회사 엘지화학
- Current Assignee: 주식회사 엘지화학
- Current Assignee Address: 150-721 서울시 영등포구 여의대로 128, Seoul KR
- Agency: 유미특허법인
- Priority: KR10-2013-0094867 20130809; KR10-2014-0093782 20140724
- Main IPC: H01B13/00
- IPC: H01B13/00 ; H01B5/14 ; C08J7/06
Abstract:
본 발명은 특수한 무기 첨가제를 고분자 수지 자체에 포함시키지 않고도, 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하는 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴의 형성 방법과, 이로부터 형성된 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴의 형성 방법은 고분자 수지 기재에 선택적으로 전자기파를 조사하여 소정의 표면 거칠기를 갖는 제 1 영역을 형성하는 단계; 고분자 수지 기재 상에 전도성 시드(conductive seed)를 형성하는 단계; 전도성 시드가 형성된 고분자 수지 기재를 도금하여 금속층을 형성하는 단계; 및 제 1 영역보다 작은 표면 거칠기를 갖는 고분자 수지 기재의 제 2 영역에서 상기 전도성 시드 및 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 것이다.
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