摘要:
본 발명에서는 열 전도도 감소와 함께 저온 영역에서의 출력인자 향상으로, 우수한 열전 성능 지수를 나타내는, 하기 화학식 1의 신규 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자가 제공된다: [화학식 1] V 1 Sn a-x In x Sb 2 Te a+3 상기 화학식 1에서, V, a, x는 명세서 중에서 정의한 바와 같다.
摘要:
본 발명은 폴리카보네이트 수지를 포함한 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에, 전자기파 조사 및 도금의 간단한 방법으로 미세 도전성 패턴을 양호하게 형성할 수 있게 하면서도, 상기 전자기파 조사에 의한 수지 제품 또는 수지충의 물성 저하를 보다 줄일 수 있는 전자기파 조사에 의한 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 전자기파 조사에 의한 도전성 패턴 형성용 조성물은 폴리카보네이트 수지를 포함한 고분자 수지; 및 적외선 영역의 파장을 갖는 전자기파를 흡수하고, 소정의 관계식으로 정의되는 레이저 민감도 Ls가 1.6
摘要:
본 발명은 특수한 무기 첨가제를 고분자 수지 자체에 포함시키지 않고도, 단순화된 공정으로 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있으며, 백색 또는 다양한 색상의 고분자 수지 제품 등을 보다 적절히 구현할 수 있게 하는 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴의 형성 방법과, 이로부터 형성된 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴의 형성 방법은 이산화티타늄(TiO2)을 포함한 고분자 수지 기재에 선택적으로 전자기파를 조사하여 소정의 표면 거칠기를 갖는 제 1 영역을 형성하는 단계; 고분자 수지 기재 상에 전도성 시드(conductive seed)를 형성하는 단계; 전도성 시드가 형성된 고분자 수지 기재를 도금하여 금속층을 형성하는 단계; 및 제 1 영역보다 작은 표면 거칠기를 갖는 고분자 수지 기재의 제 2 영역에서 상기 전도성 시드 및 금속층을 제거하는 단계를 포함한다.
摘要:
본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 매우 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하는 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 및 제 1 금속 및 제 2 금속을 포함하는 비도전성 금속 화합물로서, 상기 제 1 및 제 2 금속 중 적어도 1종의 금속을 포함하고 모서리를 공유하는 8면체들이 서로 2차원적으로 연결된 구조를 갖는 복수의 제 1 층(edge-shared octahedral layer)과, 상기 제 1 층과 다른 종류의 금속을 포함하고 서로 인접하는 제 1 층 사이에 배열된 제 2 층을 포함하는 입체 구조를 갖는 비도전성 금속 화합물;을 포함하고, 전자기파 조사에 의해, 상기 비도전성 금속 화합물로부터, 상기 제 1 또는 제 2 금속이나 그 이온을 포함하는 금속핵이 형성되는 것이다.
摘要:
본 발명에서는 저온, 특히 열전소자의 구동 은도에 대웅하는 온도에서 우수한 상 안정성을 나타내며, 출력인자 증가 및 열전도도 감소를 통해 우수한 열전 성능지수를 나타내는, 하기 화학식 1의 신규 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자가 제공된다: [화학식 1] V 1-x M x Sn 4 Bi 2 Se 7 - y Te y 상기 화학식 1에서, V는 공공이고, M은 알칼리 금속이며, X는 0 초과 1 미만이고, y는 0 초과 1 이하이다.
摘要:
본 발명에서는 저온, 특히 열전소자의 구동 은도에 대웅하는 온도에서 우수한 상 안정성을 나타내며, 출력인자 증가 및 열전도도 감소를 통해 우수한 열전 성능지수를 나타내는, 하기 화학식 1의 신규 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자가 제공된다: [화학식 1] V 1-x M x Sn 4 Bi 2 Se 7 - y Te y 상기 화학식 1에서, V는 공공이고, M은 알칼리 금속이며, X는 0 초과 1 미만이고, y는 0 초과 1 이하이다.
摘要:
본 발명에서는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 개재된 고체 전해질층을 포함하고, 상기 양극 및 음극은 제1 고체 전해질 입자를 포함하며, 상기 고체 전해질층은 제2 고체 전해질 입자를 포함하고, 상기 제2 고체 전해질 입자의 입경은 제1 고체 전해질 입경보다 큰 이차전지를 제공한다. 상기 이차전지에 있어서, 전극은 고체 전해질 입자와 전극 활물질과의 접촉 면적을 증가시켜 리튬 이온들의 이동량을 증가시킬 수 있고, 고체 전해질층은 상기 전극과 고체 전해질층 간의 접촉으로 인한 계면 저항을 낮춤으로써 이온 전도도의 감소를 최소화시킬 수 있으므로, 이차전지의 안정성 및 성능을 향상시킬 수 있다.
摘要:
본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에, 단순화된 공정으로 미세 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하면서, 상기 수지 제품 또는 수지층에 우수한 난연성을 부여할 수 있는 도전성 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용해 얻어지는 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 제 1 금속 및 제 2 금속을 포함하고 혹은 P63/mmc 공간군 구조를 갖는 비도전성 금속 화합물; 및 난연제를 포함하고, 전자기파 조사에 의해, 상기 비도전성 금속 화합물로부터, 상기 제 1 또는 제 2 금속이나 그 이온을 포함하는 금속핵이 형성되는 것으로 될 수 있다.