Invention Application
- Patent Title: 栅金属结构及其制造方法
- Patent Title (English): Gate metal structure and manufacturing method therefor
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Application No.: PCT/CN2014/070178Application Date: 2014-01-06
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Publication No.: WO2015089921A1Publication Date: 2015-06-25
- Inventor: 徐向阳
- Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
- Applicant Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司
- Current Assignee Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- Agency: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)
- Priority: CN201310702272.1 20131219
- Main IPC: H01L29/423
- IPC: H01L29/423 ; H01L21/28
Abstract:
一种栅金属结构及其制造方法，其中栅金属结构包括：衬底和铜金属层；设置在所述衬底与铜金属层之间的阻挡层，所述阻挡层为氮氧化硅SiON或氧化硅SiOx。通过在衬底与铜金属层之间设置SiON或SiOx阻挡层，使得在采用铜作为导电金属层材料时能够提高其导电率和黏附性，并降低铜的扩散性。
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IPC分类:
