发明申请
- 专利标题： 用于功率半导体装置的场板结构及其制造方法
- 专利标题（英）： Field plate structure for power semiconductor device, and manufacturing method therefor
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申请号： PCT/CN2014/092250申请日： 2014-11-26
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公开(公告)号： WO2015096581A1公开(公告)日： 2015-07-02
- 发明人: 伍震威 , 艾哈迈德⋅伊夫蒂哈尔 , 单建安
- 申请人： 伍震威
- 申请人地址： 中国香港特别行政区清水湾香港科技大学创业中心大厦副楼3楼3602房, Hong Kong CN
- 专利权人： 伍震威
- 当前专利权人： 伍震威
- 当前专利权人地址： 中国香港特别行政区清水湾香港科技大学创业中心大厦副楼3楼3602房, Hong Kong CN
- 代理机构： 深圳市千纳专利代理有限公司
- 优先权： HK13114187.9 20131223
- 主分类号： H01L29/40
- IPC分类号： H01L29/40
摘要：
提供一种功率半导体装置的结构和制造方法。提供位于在功率半导体装置的表面处的金属电极（21、22、23）之间的薄半绝缘场板（32、33、34）结构。所述薄半绝缘场板（32、33、34）通过在金属化之前进行沉积并且在所述金属化之后进行退火而形成。可用于横向功率半导体装置和垂直功率半导体装置中。
IPC分类:
