Invention Application
WO2015160092A2 메모리 소자
审中-公开
- Patent Title: 메모리 소자
- Patent Title (English): Memory element
-
Application No.: PCT/KR2015/002606Application Date: 2015-03-18
-
Publication No.: WO2015160092A2Publication Date: 2015-10-22
- Inventor: 박재근 , 이두영 , 이승은 , 전민수 , 백종웅 , 심태헌
- Applicant: 한양대학교 산학협력단
- Applicant Address: 133-791 서울시 성동구 왕십리로 222 (행당동, 한양대학교내), Seoul KR
- Assignee: 한양대학교 산학협력단
- Current Assignee: 한양대학교 산학협력단
- Current Assignee Address: 133-791 서울시 성동구 왕십리로 222 (행당동, 한양대학교내), Seoul KR
- Agency: 남승희
- Priority: KR10-2014-0046563 20140418; KR10-2014-0102139 20140808
- Main IPC: H01L43/02
- IPC: H01L43/02 ; H01L43/12
Abstract:
본 발명은 기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 하부 전극 및 시드층은 다결정의 도전 물질로 형성되며, 400℃ 이상의 열처리 온도에서도 자기 터널 접합의 수직 자기 이방성이 유지되는 메모리 소자를 제시한다.
Information query
IPC分类:
