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公开(公告)号：WO2020130342A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/KR2019/015004
申请日：2019-11-06
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G06N3/063 , H01L21/762 , H01L21/8236 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 뉴런 및 이를 포함하는 뉴로모픽 시스템을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 뉴런은 입력되는 전기적 신호(Spikes)에 따라 공핍 영역이 제어되어 적분(Integration) 및 누설(Leaky)을 수행하는 완전 공핍형 SOI(Silicon-on-insulator) 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2018101770A1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：PCT/KR2017/013926
申请日：2017-11-30
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L29/78 , H01L27/102 , H01L27/24
Abstract: 본 발명은 2단자 수직형 1T-디램 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일실시 예에 따르면, 2단자 수직형 1T-디램은 제1 타입의 고농도 반도체층으로 형성되는 음극(cathode)층; 상기 음극층 상에 형성되는 제2 타입의 저농도 반도체층 및 상기 제2 타입의 저농도 반도체층 상에 형성되는 제1 타입의 저농도 반도체층을 포함하는 베이스 영역; 및 상기 제1 타입의 저농도 반도체층 상에 제2 타입의 고농도 반도체층으로 형성되는 양극(anode)층을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2017135767A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/KR2017/001234
申请日：2017-02-03
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합, 캐핑층 및 상부 전극이 적층 형성되며, 자기 터널 접합과 캐핑층 사이에 확산 배리어가 형성된 메모리 소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합, 캐핑층 및 상부 전극이 적층 형성되며, 시드층은 합성 교환 반자성층이 fcc(111) 방향으로 성장되도록 하는 물질로 형성된 메모리 소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 두개의 전극 사이에 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합 및 캐핑층이 적층 형성되며, 자기 터널 접합은 두개의 자유층 사이에 형성된 삽입층을 포함하고, 분리층, 삽입층 및 캐핑층의 적어도 하나는 bcc 구조의 물질로 형성된 메모리 소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 두개의 전극 사이에 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합 및 캐핑층이 적층 형성되며, 합성 교환 반자성층은 각각 하나의 자성층 및 비자성층을 구비하는 메모리 소자를 제시한다.
Abstract translation:
本发明包括在基板上的下电极，一个籽晶层，该复合交换反磁性层，分离层，磁性隧道结，覆盖层，并为上电极被层叠以形成，所述磁性隧道结与所述覆盖层之间 并形成扩散屏障。 此外，本发明包括下电极，一个籽晶层，该复合交换反磁性层，分离层，磁性隧道结，覆盖层，并为上电极被层叠以形成所述晶种层被合成交换反磁性层是面心立方（111）在所述基板的方向 由此形成由允许生长的材料形成的存储元件。 此外，该复合交换反磁性层，在电极之间的隔离层，所述磁性隧道结和高速缓冲存储器，和覆盖层被层压在所述籽晶层的本发明的两个被形成，磁性隧道结包括两个自由层的，分离之间形成的插入层 该层，插入层和覆盖层中的至少一个呈现由bcc结构的材料形成的存储元件。 本发明是具有两个所述籽晶层的存储装置，形成复合交换反磁性层，在电极之间的隔离层，所述磁性隧道结和高速缓冲存储器，和覆盖层被层压，复合交换反磁性层是磁性层，分别和非磁性层
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公开(公告)号：WO2016148391A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/KR2016/001124
申请日：2016-02-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 상기 시드층은 적어도 이중 구조로 형성되며, 적어도 일층이 bcc 구조를 갖는 다결정의 도전 물질로 형성된 메모리 소자가 제시된다.
Abstract translation: 公开了一种存储器件，其中下部电极，种子层，磁性隧道结，覆盖层，复合交换反磁性层和上部电极堆叠在基板上，其中种子层具有至少双层 结构，其至少一层由具有bcc结构的多晶导电材料制成。
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公开(公告)号：WO2015160092A2
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2015/002606
申请日：2015-03-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 하부 전극 및 시드층은 다결정의 도전 물질로 형성되며, 400℃ 이상의 열처리 온도에서도 자기 터널 접합의 수직 자기 이방성이 유지되는 메모리 소자를 제시한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2011013917A2
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/KR2010/004423
申请日：2010-07-07
Applicant: 한양대학교 산학협력단 , 박재근 , 이수환 , 김지헌 , 김달호
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/302
Abstract: 양면 수광 유기태양전지를 제공한다. 양면 수광 유기 태양전지는 제1 광투과 전극, 상기 제1 광투과 전극 상에 위치하는 제1 광활성층, 상기 제1 광활성층 상에 위치하는 반사전극, 상기 반사전극 상에 위치하는 제2 광활성층 및 상기 제2 광활성층 상에 위치하는 제2 광투과 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, 반사전극을 중심으로 양측에 광활성층을 형성하고, 전지의 양방향에서 빛을 흡수할 수 있도록 광투과 전극을 형성함으로써 전지의 광흡수율을 증가시켜 고효율의 유기태양전지를 실현할 수 있다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt; 双面感光有机太阳能电池包括第一透光电极，设置在第一透光电极上的第一光敏层，设置在第一光敏层上的反射电极，设置在第一光敏层上的第二光敏层 以及设置在第二光敏层上的第二透光电极。 根据本发明，在反射电极的两侧上形成光敏层，并且形成透光电极以吸收电池的两个方向的光，由此增加电池的光吸收率并实现高效的有机太阳能电池 。
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公开(公告)号：WO2023027492A1
公开(公告)日：2023-03-02
申请号：PCT/KR2022/012617
申请日：2022-08-24
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 멤리스터 소자를 이용한 뉴로모픽 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 멤리스터 소자를 사용하여 인간의 뇌에서 기억 및 정보전달을 담당하는 생물학적 시냅스(synapse) 특성 및 생물학적 뉴런(neuron) 특성을 모두 구현하는 뉴로모픽 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템을 제공하는 기술에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따르면 뉴로모픽 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 비정질 물질로 형성되는 스위칭층 및 상기 스위칭층과 상기 제1 전극 사이에서 합금 물질로 형성되어 상기 스위칭층 내 금속 이온의 표류(drift) 및 확산(diffusion) 중 어느 하나를 제어하는 소스층을 포함하고, 상기 제1 전극을 통해 인가되는 전압에 기반한 최대 전류 밀도(max current density)의 크기에 따라 휘발성(volatile)에 따른 인공 뉴런의 적분 특성 및 비휘발성(non-volatile)에 따른 인공 시냅스 특성 중 어느 하나의 특성을 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023287173A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/KR2022/010145
申请日：2022-07-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L27/102 , H01L27/108
Abstract: 본 발명은 수직 구조의 사이리스터 및 이를 포함하는 크로스-포인트 메모리 어레이에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 수직 구조의 사이리스터는 외주면에 절연막이 형성된 반도체 코어 및 절연막 상에 형성된 복수의 금속층을 포함하고, 반도체 코어는 복수의 금속층과의 일함수(work function) 차이로 인한 전하 플라즈마(charge plasma) 현상에 기초하여 복수의 금속층 각각에 대응되는 영역에 베이스층 및 에미터층 중 적어도 하나의 층이 형성될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019194341A1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：PCT/KR2018/004605
申请日：2018-04-20
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
Abstract: 본 발명은 듀얼 이미지 센서를 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 듀얼 이미지 센서는 인쇄회로기판 상에 실장되는 제1 이미지 센서 모듈 및 제2 이미지 센서 모듈을 포함하고, 상기 제1 이미지 센서 모듈은, 상기 인쇄회로기판 상에 실장되는 제1 하우징; 상기 인쇄회로기판 상에 실장되고, 상기 제1 하우징의 제1 면에 형성되는 제1 이미지 센서; 및 상기 제1 하우징의 제2 면에 형성되는 제1 렌즈를 포함하며, 상기 제2 이미지 센서 모듈은, 상기 인쇄회로기판 상에 실장되는 제2 하우징; 상기 인쇄회로기판 상에 실장되고, 상기 제2 하우징의 제1 면에 형성되는 제2 이미지 센서; 상기 제1 하우징의 제2 면에 형성되는 제2 렌즈; 및 상기 제2 이미지 센서와 상기 제2 렌즈 사이에 형성되고, 자외선을 흡수하여 가시광으로 발광하는 양자점층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2018044127A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/KR2017/009617
申请日：2017-09-01
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 복수의 데이터를 축적함에 따라 자화 방향이 변경되는 채널부와, 상기 채널부의 양단 상에 형성되어 입력되는 복수의 데이터에 따라 상기 채널부의 자화 방향이 변경되도록 하는 제 1 및 제 2 자화 조절부와, 상기 제 1 및 제 2 자화 조절부 사이의 상기 채널부 상에 형성되며 임계값 이상의 상기 채널부에 축적된 데이터를 발화시키는 제어부를 포함하는 뉴로모픽 소자 및 그 구동 방법을 제시한다.
Abstract translation:
到本发明上的沟道部分两端的所述通道部的磁化方向的变化，根据其在通道部形成的磁化方向的多个数据，并且改变输入，作为存储在多个数据 以及控制单元，形成在第一磁化控制单元和第二磁化控制单元之间的通道单元上，并且产生高于阈值的在通道单元中累积的数据， 及其驱动方法。
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