Invention Application
- Patent Title: 도핑 된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막
- Patent Title (English): Method for manufacturing a doped metal chalcogenide thin film, and same thin film
- Patent Title (中): 制备金属氯化铝薄膜的方法和相同的薄膜
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Application No.: PCT/KR2015/004013Application Date: 2015-04-22
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Publication No.: WO2015174648A1Publication Date: 2015-11-19
- Inventor: 최민석 , 문진산 , 정명희 , 김태형
- Applicant: 엘지전자 주식회사
- Applicant Address: 150-721 서울시 영등포구 여의대로 128, LG전자, Seoul KR
- Assignee: 엘지전자 주식회사
- Current Assignee: 엘지전자 주식회사
- Current Assignee Address: 150-721 서울시 영등포구 여의대로 128, LG전자, Seoul KR
- Agency: 김용인
- Priority: KR10-2014-0056509 20140512
- Main IPC: H01L21/28
- IPC: H01L21/28 ; H01L21/20 ; C23C16/06 ; C23C16/44
Abstract:
본 발명은 이종원소 박막의 제작에 관한 것으로 특히, 도핑 된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 도핑 된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 있어서, 기체화된 제1금속 전구체를 공급하는 단계; 기체화된 제2금속 전구체를 공급하는 단계; 칼코겐 함유 기체를 공급하는 단계; 및 제1온도조건에서 성장 기판 상에 상기 제1금속 전구체, 제2금속 전구체 및 칼코겐 함유 기체를 반응시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
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