本技術は、分光性能を向上させることができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 半導体基板に形成された拡散層と、拡散層の光が入射する側とは異なる側に形成され、ゲート電圧が印加される電極とを備え、ゲート電圧を変化させることにより拡散層中で入射光により発生した電荷を捕獲する拡散層の表面からの深さを変化させ、変化させたゲート電圧毎で、表面側から深さまでの領域で発生する電荷の量を示す電流を測定することにより、入射光の波長毎の強度を解析する。本技術は、分光を行う素子である分光センサや、分光した結果を用いて色情報を生成する撮像素子に適用できる。