基体おもて面側からｐ + アノード層（７）にアルゴン（８）のイオン注入（８ａ）を行い、欠陥層（９）を形成する。このとき、後の白金拡散工程においてｐ + アノード層（７）の、ｎ - ドリフト層（６）とのｐｎ接合付近の電子進入領域内に白金原子（１１）が局在するよう、アルゴン（８）の飛程はｐ + アノード層（７）の拡散深さ（Ｘｊ）より浅くする。その後、基体裏面（５ａ）に塗布した白金ペースト（１０）中の白金原子（１１）をｐ + アノード層（７）内に拡散させて、欠陥層（９）のカソード側に局在化させる。これにより、ｐ + アノード層（７）のライフタイムが短くなる。また、ｎ - ドリフト層（６）内の白金原子（１１）が欠陥層（９）に捕獲されてｎ - ドリフト層（６）の白金濃度が低下し、ｎ - ドリフト層（６）内のライフタイムは長くなる。したがって、逆回復電流を小さくし、逆回復時間を短縮し、かつ順電圧降下を低減させることができる。