公开(公告)号：WO2022007532A1

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：PCT/CN2021/096270

申请日：2021-05-27

Applicant: 普乐新能源科技（徐州）有限公司

Inventor： 欧文凯

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/225

Abstract: 一种制作HBC电池背面掺杂非晶硅的方法，包括：在N型抛光后的硅片的背面生长本征的氢化非晶硅层；在氢化非晶硅层上印刷硼浆，烘干；在氢化非晶硅层上印刷磷浆，烘干；将印刷好的硅片放入激光器中进行激光实现掺杂，得到P区及N区需要达到的方阻值；给电池片表面镀上掩膜作为抛光阻挡层；用激光切割P区和N区之间的位置，去除中间的掩膜。能够保证背面掺杂非晶硅的均匀性及生长速率。

公开(公告)号：WO2021037846A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/EP2020/073739

申请日：2020-08-25

Applicant: COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： CABAL, Raphaël ,  GRANGE, Bernadette

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/225

Abstract: Ce procédé comporte les étapes : a) prévoir une structure comprenant : - un substrat (1) à base de silicium cristallin; - une première couche diélectrique (2), comprenant des atomes de bore, et formée sur la première surface (10) du substrat (1); - un film d'oxyde tunnel (3), formé sur la seconde surface (11) du substrat; - une couche de polysilicium (4), formée sur le film d'oxyde tunnel (3); - une deuxième couche diélectrique (5), comprenant des atomes de phosphore et/ou d'arsenic, et formée sur la couche de polysilicium (4); b) appliquer un traitement thermique à la structure de manière à : - diffuser les atomes de bore sous la première surface (10) du substrat (1), de manière à former une première région semi-conductrice dopée (100); - diffuser les atomes de phosphore et/ou d'arsenic dans la couche de polysilicium (4), de manière à doper la couche de polysilicium (4).

公开(公告)号：WO2020116270A1

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：PCT/JP2019/046319

申请日：2019-11-27

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 北田剛 ,  橘邦彦 ,  秋本旭

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/077 ,  H01L21/225

Abstract: 半導体基板への均一な拡散と塗布液の保存安定性の向上を可能とするｐ型不純物拡散組成物を提供することを課題とする。 （ａ）ポリビニルアルコールおよびポリエチレンオキサイドから選ばれる少なくとも１つの樹脂、 （ｂ）溶媒、および （ｃ）第１３族元素を含む化合物 を含むｐ型不純物拡散組成物であって、組成物のｐＨが４～６．５であり、（ｂ）溶媒が、（ｂ－１）沸点１１０℃以上、２１０℃以下の有機溶媒と（ｂ－２）水とを含み、（ｂ－２）水の量が（ｂ）溶媒中の１０～５０質量％であることを特徴とするｐ型不純物拡散組成物。

公开(公告)号：WO2019135214A1

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：PCT/IL2018/051397

申请日：2018-12-27

Applicant: SOLAROUND LTD.

Inventor： EISENBERG, Naftali, Paul ,  KREININ, Lev ,  EISENBERG, Ygal

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: A method of producing a bifacial photovoltaic cell is disclosed herein, the method comprising: forming a boron-containing layer on a second surface of a semiconductor substrate; forming a cap layer above the boron-containing layer; effecting simultaneously: i) deposition on the first surface and ii) diffusion into it of the phosphorous using POCl 3 gas phase process and iii) diffusion of the boron into the second surface of the substrate, to thereby dope the first surface with n-dopant and the second surface with boron.

公开(公告)号：WO2018021117A1

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：PCT/JP2017/026143

申请日：2017-07-19

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 北田　剛 ,  白沢　信彦 ,  村瀬　清一郎

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  Y02P70/521

Abstract: 本発明の一態様である半導体素子の製造方法は、膜層形成工程と拡散工程とを含む。膜層形成工程では、半導体基板上に、不純物拡散成分を含有する組成物Ａを用いてなる不純物拡散組成物膜であるＡ膜と、ポリシロキサンを含有する組成物Ｂを用いてなり、少なくともＡ膜からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層であるＢ層と、を形成する。拡散工程では、Ａ膜とＢ層とが形成された半導体基板を熱処理して、半導体基板中に不純物拡散成分を拡散させる。この半導体素子の製造方法は、太陽電池の製造方法に用いられる。

Abstract translation: 作为本发明的一个实施例的制造半导体器件的方法包括膜层形成步骤和扩散步骤。 在膜层形成步骤中，在半导体基板上使用由含有杂质扩散成分的组合物A构成的杂质扩散组合物膜的A膜和含有聚硅氧烷的组合物B，并且至少A 而且，作为抑制杂质扩散成分在空气中扩散的空气扩散抑制层的B层。 在扩散处理中，对其上形成有A膜和B层的半导体衬底进行热处理，以将杂质扩散成分扩散到半导体衬底中。 该制造半导体器件的方法用于制造太阳能电池的方法。

公开(公告)号：WO2017113266A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/CN2015/100058

申请日：2015-12-31

Applicant: 上海凯世通半导体有限公司

Inventor： 洪俊华 ,  陈炯 ,  金光耀 ,  张劲 ,  何川

IPC: H01L21/225

CPC classification number: H01L21/225

Abstract: 一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底(1)和位于衬底(1)上平行间隔设置的Fin(21,22)，每根Fin(21,22)包括顶面、相对的第一侧壁和第二侧壁，掺杂方法包括：在每根Fin(21,22)的表面形成电介质层(31,32)，该电介质层(31,32)覆盖Fin(21,22)的顶面、第一侧壁和第二侧壁；分别自该第一侧壁侧和第二侧壁侧对Fin(21,22)进行掺杂元素的注入；热处理使得掺杂元素扩散至Fin(21,22)中并被激活，其中该电介质层(31,32)的厚度至少为1nm，掺杂元素的注入能量为2keV以下。通过不直接将掺杂元素注入至Fin(21,22)中，而是在Fin(21,22)的顶部和侧壁覆盖电介质层(31,32)来阻挡掺杂元素直接进入Fin(21,22)，并通过热处理来形成对Fin(21,22)的掺杂从而对顶部和侧壁的掺杂剂量进行控制，并保护Fin(21,22)不受离子的直接轰击。

公开(公告)号：WO2017072758A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/IL2016/051148

申请日：2016-10-25

Applicant: SOLAROUND LTD.

Inventor： EISENBERG, Naftali Paul ,  KREININ, Lev

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: A method of producing a bifacial photovoltaic cell is disclosed herein, the method comprising: a) forming an n-dopant-containing layer on a first surface of a semiconductor substrate; b) forming a boron-containing layer on a second surface of the substrate by sputtering boron and/or by boron ion implantation; and c) effecting diffusion of the n-dopant and boron into the substrate, to dope the first surface with the n-dopant and the second surface with the boron. Further disclosed herein are bifacial photovoltaic cells, as well as photovoltaic modules, power plants and electric devices comprising said photovoltaic cells, comprising a semiconductor substrate, an n + layer on a first surface thereof and a boron-containing p + layer on a second surface thereof, wherein a variability of boron concentration in the p + layer is no more than 5%.

Abstract translation: 本文公开了一种制造双面光伏电池的方法，所述方法包括：a）在半导体衬底的第一表面上形成含n-掺杂剂的层; b）通过溅射硼和/或通过硼离子注入在衬底的第二表面上形成含硼层; 和c）实现n型掺杂剂和硼扩散到衬底中，用n-掺杂剂掺杂第一表面，用硼掺杂第二表面。 本文进一步公开了双面光伏电池，以及包括所述光伏电池的光伏模块，发电厂和电子设备，其包括半导体衬底，在其第一表面上的n +层和含硼 其中第二表面上的p + p +层的硼浓度的变化不大于5％。p + / p +

公开(公告)号：WO2017057238A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/JP2016/078193

申请日：2016-09-26

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 北田剛 ,  稲葉智雄 ,  池上由洋

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 本発明は、半導体基板への優れた拡散性とｎ型不純物に対する十分なバリア性を有するｐ型不純物拡散組成物を提供することを目的とする。　上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を有する。すなわち、（Ａ）ポリシロキサンと（Ｂ）Ｓｉ－Ｏ－Ｂ結合を有するｐ型不純物拡散成分とを含有するｐ型不純物拡散組成物である。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种对半导体衬底具有优异扩散性的p型杂质扩散组合物，同时对n型杂质具有足够的阻挡性能。 为了实现上述目的，本发明具有以下结构。 即，包含（A）聚硅氧烷和（B）具有Si-O-B键的p型杂质扩散组分的p型杂质扩散组合物。

公开(公告)号：WO2016041852A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/EP2015/070793

申请日：2015-09-11

Applicant: ABB TECHNOLOGY AG

Inventor： JANISCH, Wolfgang ,  DE VRIES, Atze ,  MATTHIAS, Sven

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/225 ,  H01L29/739 ,  H01L29/744 ,  H01L29/08 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/283 ,  H01L21/673 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/744

Abstract: A method for manufacturing a vertical power semiconductor device is provided, wherein a first impurity is provided at the first main side (103) of a semiconductor wafer (101). A first oxide layer (112) is formed on the first main side (103) of the wafer (101), wherein the first oxide layer (112) is partially doped with a second impurity in such way that any first portion of the first oxide layer (112) which is doped with the second impurity is spaced away from the semiconductor wafer by a second portion of the first oxide layer (112) which is not doped with the second impurity and which is disposed between the first portion of the first oxide layer (112) and the first main side (103) of the semiconductor wafer (101). Thereafter a carrier wafer (115) is bonded to the first oxide layer (112). During front-end-of-line processing on the second main side (102) of the semiconductor wafer (101), the second impurity is diffused from the first oxide layer (112) into the semiconductor wafer (101) from its first main side (103) by heat generated during the front-end-of-line processing.

Abstract translation: 提供一种用于制造垂直功率半导体器件的方法，其中在半导体晶片（101）的第一主侧（103）处设置第一杂质。 第一氧化物层（112）形成在晶片（101）的第一主侧（103）上，其中第一氧化物层（112）部分地掺杂有第二杂质，使得第一氧化物 掺杂有第二杂质的层（112）通过未掺杂第二杂质的第一氧化物层（112）的第二部分与半导体晶片隔开，并且设置在第一氧化物的第一部分之间 层（112）和半导体晶片（101）的第一主侧（103）。 此后，载体晶片（115）与第一氧化物层（112）结合。 在半导体晶片（101）的第二主面（102）的前端处理中，第二杂质从第一主面从第一氧化物层（112）扩散到半导体晶片（101） （103）通过在前端处理期间产生的热量。

公开(公告)号：WO2016010097A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/JP2015/070335

申请日：2015-07-15

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 栗林　秀直 ,  北村　祥司 ,  小野澤　勇一

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/221 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 　基体おもて面側からｐ + アノード層（７）にアルゴン（８）のイオン注入（８ａ）を行い、欠陥層（９）を形成する。このとき、後の白金拡散工程においてｐ + アノード層（７）の、ｎ - ドリフト層（６）とのｐｎ接合付近の電子進入領域内に白金原子（１１）が局在するよう、アルゴン（８）の飛程はｐ + アノード層（７）の拡散深さ（Ｘｊ）より浅くする。その後、基体裏面（５ａ）に塗布した白金ペースト（１０）中の白金原子（１１）をｐ + アノード層（７）内に拡散させて、欠陥層（９）のカソード側に局在化させる。これにより、ｐ + アノード層（７）のライフタイムが短くなる。また、ｎ - ドリフト層（６）内の白金原子（１１）が欠陥層（９）に捕獲されてｎ - ドリフト層（６）の白金濃度が低下し、ｎ - ドリフト層（６）内のライフタイムは長くなる。したがって、逆回復電流を小さくし、逆回復時間を短縮し、かつ順電圧降下を低減させることができる。

Abstract translation: 从衬底的前表面侧进行氩（8）离子注入（+）到p + - 反射层（7）中以形成缺陷层（9）。 在这种情况下，氩（8）的范围被设定为比p + - 反射层（7）的扩散深度（Xj）浅，使得在稍后的铂扩散步骤中，铂原子（11）定位 在形成在p +阳极层（7）和n-漂移层（6）之间的pn结附近的电子侵入区域中。 之后，施加到基板的背面（5a）的铂糊（10）中的铂原子（11）扩散到p + - 反射层（7）中并且位于缺陷层（9）的阴极侧 ）。 这使得p + -anode层（7）中的生命周期缩短。 此外，n漂移层（6）中的铂原子（11）被缺陷层（9）捕获，并且n-漂移层（6）中的铂浓度降低，使得在 n漂移层（6）变长。 因此，能够减小反向恢复电流，缩短反向恢复时间，降低正向压降。