Invention Application
- Patent Title: STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP
- Patent Title (English): Radiation-emitting semi-conductor chip, method for producing a plurality of radiation-emitting semi-conductor chips and optoelectronic element comprising a radiation-emitting semi-conductor chip
- Patent Title (中): 发射辐射的半导体芯片，用于生产辐射发射半导体芯片和光电子器件的各种具有辐射发射半导体芯片
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Application No.: PCT/EP2015/073162Application Date: 2015-10-07
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Publication No.: WO2016055526A1Publication Date: 2016-04-14
- Inventor: KÄMPF, Mathias , JEREBIC, Simon , NEUDECKER, Ingo , SPATH, Günter , HUBER, Michael , PERZLMAIER, Korbinian
- Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Applicant Address: Leibnizstr. 4 93055 Regensburg DE
- Assignee: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Current Assignee: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Current Assignee Address: Leibnizstr. 4 93055 Regensburg DE
- Agency: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
- Priority: DE10 20141008
- Main IPC: H01L33/00
- IPC: H01L33/00 ; H01L33/20
Abstract:
Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3)ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.
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IPC分类:
