公开(公告)号：WO2017050617A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/EP2016/071694

申请日：2016-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, mit -einem Halbleiterchip (10), der einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich (12) und einen Träger (3) mit einem ersten Leiterkörper (31), einem zweiten Leiterkörper (32) und einem ersten Formkörper (33) umfasst, und –einem zweiten Formkörper (5), wobei –der zweite Formkörper (5) den Halbleiterchip (10) in lateralen Richtungen (L) vollständig umgibt, –der Halbleiterchip (10) den zweiten Formkörper (5) in einer vertikalen Richtung (V) vollständig durchdringt, -eine Oberseite und eine Unterseite des Halbleiterchips (10) zumindest stellenweise frei vom zweiten Formköper (5) sind, -der Träger (3) mechanisch mit dem Halbleiterkörper (2) verbunden ist, -der aktive Bereich (12) elektrisch leitend mit dem ersten Leiterkörper (31) und dem zweiten Leiterkörper (32) verbunden ist, -der zweite Formkörper (5) direkt an den Träger (3) und den Halbleiterkörper (1) grenzt.

Abstract translation: 提供了一种具有包括半导体本体（1）具有有源区（12）和支撑 - 该半导体芯片（10）的半导体器件（3），其具有第一半导体本体（31），第二半导体本体（32）和第一 包括形式本体（33），以及 - 第二模具主体（5），其特征在于，-the第二模具主体（5）完全包围在横向方向（L）的半导体芯片（10），-the半导体芯片（10），所述第二模具主体（5）在 贯通的垂直方向（V）完全，-a顶部和半导体芯片的底（10）-the载体（3）机械地至少连接到所述半导体主体（2）的地方从该第二模体（5）被连接免费，-the活性 区域（12）导电地连接到所述第一导体主体（31）和第二导体本体（32），第二-the模具主体（5）直接连接到所述支撑件（3）和半导体本体（1）是相邻的。

公开(公告)号：WO2017046261A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/EP2016/071855

申请日：2016-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHULZ, Robert ,  LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, wobei das Verfahren ein induktives Anregen eines Stroms durch eine induktive Komponente (4) des optoelektronischen Bauelements (10) umfasst, so dass das optoelektronische Bauelement (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (2) angeregt wird, und ein Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft des optoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, und ein Aufbringen eines Konvertermaterials (3) auf eine Abstrahlseite (1) desoptoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, wobei eine Menge desaufzubringenden Konvertermaterials (3) aus der Messung der elektrooptischen Eigenschaft bestimmt wird.

Abstract translation: 提供了一种方法用于制造光电子组件，所述方法包括感应激励电流通过该光电部件（10）的电感元件（4），从而使光电元件（10）激发而发射的电磁辐射（2） 是，并测量完成光电子器件（10）中的至少一个电光学特性，并且在放射面施加转换器材料（3）（1）desoptoelektronischen装置（10），其中，从测量的量desaufzubringenden转换器材料（3） 电光特性被确定。

公开(公告)号：WO2017036841A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/069813

申请日：2016-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HÖPPEL, Lutz ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/642

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, einen Träger (10), der einen Kunststoff aufweist und eine erste Durchkontaktierung (11) und eine zweite Durchkontaktierung (12) aufweist, eine p-Kontaktschicht (6) und eine n-Kontaktschicht (8, 8A), welche zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet sind, eine metallische Verstärkungsschicht (14), welche zumindest bereichsweise zwischen der n-Kontaktschicht (8, 8A) und dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die metallische Verstärkungsschicht (14) mindestens 5 pm dick ist, und mindestens eine p-Kontaktdurchführung (7), welche zwischen der ersten Durchkontaktierung (11) und der p-Kontaktschicht (6) angeordnet ist, wobei die p-Kontaktdurchführung (7) mindestens 5 pm dick ist und in lateraler Richtung zumindest bereichsweise von der Verstärkungsschicht (14) umgeben ist. Ferner wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种包括具有半导体层序列的半导体主体（1）（2），载体（10），其具有塑料和通过（11）的第一和经由第二的光电子半导体器件（100）（12） 一个p型接触层（6），并且至少在所述载体（10）和半导体主体之间的区域（1）被布置成一个n型接触层（8，8A），金属加强层（14），其至少在n之间的区域 接触层（8，8A）和所述支撑件（10）布置，其特征在于，通孔（11）设置在所述第一之间的金属增强层（14）m厚至少为5，和至少一个p型接触衬套（7）和p 设置接触层（6），其特征在于，通过（7）至少5μmp接触厚和至少在所述加强层（14）的区域中包围在横向方向上。 此外，被指定用于制造这样的光电子半导体器件（100）的有利方法。

公开(公告)号：WO2017009292A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066441

申请日：2016-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  HÖPPEL, Lutz

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/247 ,  H01L29/872 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben. Eine Halbleiterschichtenfolge (3) wird bereitgestellt, umfassend eine erste Halbleiterschicht (3a) und eine zweite Halbleiterschicht (3b). Ferner wird eine erste Kontaktschicht (5a) bereitgestellt, die sich lateral entlang der ersten Halbleiterschicht (3a) erstreckt und diese elektrisch kontaktiert. Eine dritte Halbleiterschicht (7) wird auf einer der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht (5a) aufgebracht. Es wird eine Ausnehmung (8) ausgebildet, die sich durch die dritte Halbleiterschicht (7), die erste Kontaktschicht (5a) und die erste Halbleiterschicht (3a) hindurch in die zweite Halbleiterschicht (3b) hinein erstreckt. Eine Passivierungsschicht (9) wird auf einer der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandten Seite der dritten Halbleiterschicht (7) aufgebracht. Wenigstens eine erste (9a) und wenigstens eine zweite Durchgangsöffnung (9b, 9c) werden in der Passivierungsschicht (9) ausgebildet. Eine zweite Kontaktschicht (5b) wird aufgebracht, die die zweite Halbleiterschicht (3b) im Bereich der wenigstens einen ersten Durchgangsöffnung (9a) elektrisch kontaktiert und die dritte Halbleiterschicht (7) im Bereich der wenigstens einen zweiten Durchgangsöffnung (9b, 9c) elektrisch kontaktiert. Des Weiteren wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体芯片（1）的方法。 的半导体层序列（3）被提供，包括：第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）中。 此外，提供了第一接触层（5a）中沿第一半导体层（3a）和电接触侧向延伸。 的第三半导体层（7）被施加到（3）背对所述第一接触层（5a）的半导体层序列侧中的一个。 形成有通过第三半导体层（7）延伸的凹槽（8），所述第一接触层（5a）和所述第一半导体层（3A）转换成所述第二半导体层（3b）中延伸。 钝化层（9）被施加到（7）（3）背向所述第三半导体层的半导体层序列侧中的一个。 至少一个第一（9A）和通孔的至少一个第二（9B，9C）形成在所述钝化层（9）。 第二接触层（5b）中被施加，在第二半导体层（图3b）中的至少一个第一通道开口（9a）和所述第三半导体层的区域被电接触（7）被电中的至少一个第二区域的通孔接触（9B，9C）。 此外，提供了一种光电子半导体芯片（1）。

公开(公告)号：WO2017009183A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066170

申请日：2016-07-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36

Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung angegeben, umfassend - einen Formkörper (2) mit einer Bodenfläche (2b), - eine erste Pixelgruppe (41), der eine Vielzahl von Pixeln (1) zugeordnet ist, jeweils aufweisend einen ersten Halbleiterbereich (11), einen zweiten Halbleiterbereich (12) und einen aktiven Bereich (10), - eine Vielzahl von Trennstrukturen (3), die zwischen den Pixeln (1) angeordnet sind, und - zumindest eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) aufweisend eine erste Kontaktebene (51) und eine erste Kontaktstelle (52), die an der Bodenfläche (2b) frei zugänglich ist, wobei - die Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) nebeneinander an der Deckfläche (2a) angeordnet sind, - die ersten Halbleiterbereiche (11) und/oder die zweiten Halbleiterbereiche (12) benachbarter Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der Trennstrukturen (3) voneinander elektrisch isoliert sind, - der ersten Pixelgruppe (41) eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) eineindeutig zugeordnet ist, und - die ersten Halbleiterbereiche (11) der Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der ersten Kontaktebene (51) elektrisch leitend miteinander verbunden sind und mittels der ersten Kontaktstelle (52) elektrisch kontaktierbar sind.

Abstract translation: 它是指定的光电子装置，包括： - 模制主体（2），其具有底部表面（2b）中， - 第一像素组，其与多个像素相关联的（41）（1）每个包括第一半导体区域（11），一个 所述第二半导体区域（12）和有源区（10）， - 多个分区结构（3），其被布置在像素（1）之间，以及 - 至少一个第一接触结构（51，52，53），包括第一接触平面（ 51）和第一接触点（52）（底部表面2b）上是自由访问，其特征在于， - 所述像素（1）的第一像素组（41）的并排的顶表面（2A）上并排设置， - 所述的第一半导体区（11 ）和/或所述第二半导体的第一像素组（41）的相邻像素（1）的由所述隔离结构的装置的区域（12）（3）是电绝缘的， - 所述第一像素组（41）具有第一接触结构（51，52，53）明确 是分配的，以及 - 通过第一接触平面（51）的装置中的第一像素组（41）的像素（1）的（11）导电地连接到彼此，并通过所述第一接触点（52）的装置中的第一半导体区域电接触。

公开(公告)号：WO2016055526A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/EP2015/073162

申请日：2015-10-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF, Mathias ,  JEREBIC, Simon ,  NEUDECKER, Ingo ,  SPATH, Günter ,  HUBER, Michael ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0095

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3)ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片（1）与在操作期间发射电磁辐射的外延半导体层序列（3），指示。 外延半导体层序列（3）是透明的载体（4）被施加，在其中，所述载体（4）具有的半导体层序列（3）面对的第一主面（8），一个半导体层序列（3）的面向远离第二主表面（9）和一个之间 具有第一主表面（8）和所述第二主表面（9）布置侧侧翼（10）和侧侧翼（10）具有一个输出耦合结构，这是专门由分离迹线形成。 它是用这样的半导体芯片，半导体芯片，以及一个部件的制造方法，其进一步指定。

公开(公告)号：WO2015189056A2

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/062009

申请日：2015-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KOPP, Fabian ,  EICHINGER, Christian ,  MUERMANN, Björn

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich(20), einer Halbleiterschicht(21)und einer weiteren Halbleiterschicht (22) aufweist,angegeben,wobei -der aktive Bereich zwischen der Halbleiterschicht und der weiteren Halbleiterschicht angeordnet ist; - auf einer Strahlungsaustrittsfläche (210) des Halbleiterkörpers eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist; - die Stromaufweitungsschicht elektrisch leitend mit einer Kontaktstruktur (4) für die externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterschicht verbunden ist; - die Stromaufweitungsschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement in einem Anschlussbereich (30) an die Halbleiterschicht angrenzt, und - die Stromaufweitungsschicht eine Strukturierung (31) mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, durch die im Betrieb Strahlung aus dem Halbleiterbauelement austritt.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体器件（1）与（2），其具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），半导体层（21）和另外的半导体层（22），设置其中-the的半导体层序列的半导体主体 所述半导体层和所述另外的半导体层之间的活性区域布置; - 被布置在半导体本体中的电流扩散层的辐射出射表面（210）; - 电流扩展层导电地连接到接触结构（4）连接到所述半导体层的外部电接触; - 相邻于在所述半导体层上的连接区域（30）的半导体装置的俯视图的电流扩展层，以及 - 所述电流扩展层包括具有多个凹部（35），其辐射出来的半导体装置的操作，通过该结构（31）。

公开(公告)号：WO2015161961A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/EP2015/055657

申请日：2015-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  HUPPMANN, Sophia ,  TAEGER, Sebastian ,  EICHINGER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht ( 5 ) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.

Abstract translation: 它是一种发光半导体器件（10）表示，（1）具有活性区域（2），其适于（10）的半导体层序列的半导体器件的操作期间产生的光，以及半导体层序列（1）最终的半导体层 电（3），透明导电接触最终的半导体层（3），（6）在该半导体层序列（1），包括一个塑料的外层上的透明间层（4），和至少一个透明的介电中间层（5） 导电接触层（4）和外部层（6），其中所述接触层（4），中间层（5）和所述外层（6）分别具有折射率和中间层（5）的折射率大于所述接触层的折射率小（ 4）和比外层的折射率大（6）。

公开(公告)号：WO2021078505A1

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：PCT/EP2020/077918

申请日：2020-10-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  STAUSS, Peter ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  KLEMP, Christoph ,  NEVELING, Kerstin ,  BIEBERSDORF, Andreas

IPC: H01L33/00

Abstract: Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einem Hilfsträger (90), einer Mehrzahl von Bauteilen (10), einer Haltestruktur (7, 70) und einer elektrisch leitfähigen Opferschicht (6) angegeben, wobei die Bauteile jeweils eine der Opferschicht zugewandte Anschlussschicht (4) aufweisen, die mit der Opferschicht elektrisch leitend verbunden ist. Die Opferschicht befindet sich in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen, wobei die Opferschicht entfernbar ausgeführt ist und die Bauteile (10) außer über die Opferschicht (4) nur noch über die Haltestruktur (7, 70) mit dem Hilfsträger (90) mechanisch verbunden sind. Des Weiteren werden ein Verfahren zum Proben sowie ein Verfahren zum Herstellen von Bauteilen angegeben.

公开(公告)号：WO2021069388A1

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：PCT/EP2020/077880

申请日：2020-10-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander F. ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L21/683

Abstract: Es wird ein Bauelementverbund (1) mit einer Mehrzahl von Bauelementen (2) und einem Träger (5) angegeben, wobei die Bauelemente mittels einer Verbindungsschicht (4) an dem Träger befestigt sind und die Verbindungsschicht für jedes Bauelement mindestens eine Auflagestruktur (41) bildet, an der die Verbindungsschicht an das Bauelement angrenzt. Bereichsweise ist zwischen den Bauelementen und der Verbindungsschicht eine Opferschicht (3) angeordnet. Ein Teil der Bauelemente ist einer ersten Gruppe (2A) und ein weiterer Teil der Bauelemente einer zweiten Gruppe (2B) zugeordnet, wobei die Bauelemente der ersten Gruppe von den Bauelementen der zweiten Gruppe hinsichtlich einer Belegung mit der Opferschicht verschieden sind. Weiterhin werden ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen aus einem Bauelementverbund und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementverbunds angegeben.