Invention Application
- Patent Title: 半導体装置およびその製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and manufacturing method for same
- Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2014/080072Application Date: 2014-11-13
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Publication No.: WO2016075791A1Publication Date: 2016-05-19
- Inventor: 前川 和義 , 河野 祐一
- Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Applicant Address: 〒1350061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 Tokyo JP
- Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Current Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Current Assignee Address: 〒1350061 東京都江東区豊洲三丁目２番２４号 Tokyo JP
- Agency: 筒井 大和
- Main IPC: H01L21/3205
- IPC: H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/522
Abstract:
半導体装置は、複数の配線層の最上層に形成されたパッド電極９ａと、パッド電極９ａ上に開口１１ａを有する下地絶縁膜１１と、下地絶縁膜１１上に形成された下地金属膜ＵＭと、下地金属膜ＵＭ上に形成された再配線ＲＭと、再配線ＲＭの上面および側面を覆うように形成されたキャップ金属膜ＣＭとを有する。そして、再配線ＲＭの外側の領域において、再配線ＲＭの側壁上に形成されたキャップ金属膜ＣＭと下地絶縁膜１１との間には、再配線ＲＭとは別材料の下地金属膜ＵＭと、再配線ＲＭとは別材料のキャップ金属膜ＣＭと、が形成されており、再配線ＲＭの外側の領域において、下地金属膜ＵＭとキャップ金属膜ＣＭとが直接接している。
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IPC分类:
