Предлагаемыми изобретениями решается задача получения кремния повышенной чистоты, улучшения производительности очистки, снижения энергетических и материальных затрат и выращивания исходных стержней, в том числе в дальнейшем применимых в процессе бестигельной зонной плавки. Технический результат заключается в том, что повышается скорость очистки кремния вакуумным испарением от примесей с упругостью паров выше, чем у кремния, исключается загрязнение очищаемого кремния примесями из аппаратуры при температурах, близких к температуре плавления кремния, и очищенный расплав вытягивают в виде стержня, при этом происходит финишная кристаллизационная очистка расплава. Технический результат достигается за счет расплавления не менее чем двумя электронными лучами шихты в охлаждаемом устройстве, снабженном теплоизолятором, который Обеспечивает различную теплопередачу от расплава к охлаждаемому устройству в разных его частях, последующее формирование сканированием электронных лучей кольцевой зоны нагрева на поверхности полученного расплава и вытягивание кристалла заданного диаметра на затравку. Очистку перед вытягиванием обеспечивают, подавая шихту порционно и выдерживая расплав при пониженном давлении, при этом процессом управляют путем изменения скорости вытягивания, величины подводимой энергии, а также положения и ширины кольцевой зоны нагрева, интенсифицируя процесс очистки многократным периодическим перемешиванием расплава. Весь цикл повторяют, удалив вытянутый кристалл из устройства.