发明申请
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： PCT/JP2015/061573申请日： 2015-04-15
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公开(公告)号： WO2016166834A1公开(公告)日： 2016-10-20
- 发明人: 梶原 孝信 , 大前 勝彦 , 伏江 俊祐 , 椋田 宗明 , 中島 大輔 , 元岡 誠裕 , 宮西 宏幸 , 仲松 有紀 , 鈴木 淳也
- 申请人： 三菱電機株式会社
- 申请人地址： 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 Tokyo JP
- 专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目７番３号 Tokyo JP
- 代理机构： 大岩 増雄
- 主分类号： H01L23/28
- IPC分类号： H01L23/28 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要：
半導体装置（１００）において、リードフレーム（２）の放熱面（２ｂ）に、第一のモールド樹脂（７）により成形された第一のスカート部（７ａ）と、第二のモールド樹脂（８）により成形された第二のスカート部（８ａ）を設けた。また、薄肉成形部（８ｂ）は、第二のモールド樹脂（８）により第二のスカート部（８ａ）と一体的に成形される。このような構成により、薄肉成形部（８ｂ）とリードフレーム（２）との密着性が高く、放熱性と絶縁性に優れた半導体装置（１００）が得られる。
IPC分类:
