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WO2016207277A8 VERFAHREN ZUM FÜHREN EINES RISSES IM RANDBEREICH EINES SPENDERSUBSTRATS MIT EINEM GENEIGTEN LASERSTRAHL 审中-公开

VERFAHREN ZUM FÜHREN EINES RISSES IM RANDBEREICH EINES SPENDERSUBSTRATS MIT EINEM GENEIGTEN LASERSTRAHL
Abstract:
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abtrennen von Festkörperscheiben (1) von einem Spendersubstrat (2). Das Verfahren umfasst dabei die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2), Erzeugen von mindestens einer Modifikationen (10) im Inneren des Spendersubstrats (2) mittels mindestens eines Laserstrahls (12), wobei der Laserstrahl (12) über eine ebene Oberfläche (16) des Spendersubstrats (2) in das Spendersubstrat (2) eindringt,wobei der LASER-Strahl (12) derart gegenüber der ebenen Oberfläche (16) des Spendersubstrats (2) geneigt ist, dass er in einem Winkel von ungleich 0° oder 180° gegenüber der Längsachse des Spendersubstrates in das Spendersubstrat eindringt, wobei der Laserstrahl (12) zum Erzeugen der Modifikation (10) im Spendersubstrat (2) fokussiert wird, wobei sich die Festkörperscheibe (1) durch die erzeugten Modifikationen (10) von dem Spendersubstrat (2) ablöst, oder eine Spannungserzeugungsschicht (14) an der ebenen Oberfläche (16) des Spendersubstrats (2) erzeugt oder angeordnet wird und durch ein thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (14) mechanische Spannungen in dem Spendersubstrat (2) erzeugt werden, wobei durch die mechanischen Spannungen ein Riss (20) zum Abtrennen einer Festkörperschicht (1) entsteht, der sich entlang der Modifikationen (10) ausbreitet.
Abstract(English):

The invention relates to a method for cutting solids wafers (1) off a donor substrate (2). The method comprises the following steps: providing a donor substrate (2), and producing at least one modification (10) in the interior of the donor substrate (2) by means of at least one laser beam (12), said laser beam (12) penetrating the donor substrate (2) via a flat surface (16) of the donor substrate (2). The laser beam (12) is inclined with respect to the flat surface (16) of the donor substrate (2) such that it penetrates the donor substrate at an angle of not equal to 0° or 180° relative to the longitudinal axis of the donor substrate. The laser beam (12) is focused in order to produce the modification (10) in the donor substrate (2) and the solids wafer (1) detaches itself from the donor substrate (2) as a result of the modifications (10) produced. Or a stress-inducing layer (14) is produced in or arranged on the flat surface (16) of the donor substrate (2) and mechanical stress is produced in the donor substrate (2) by exposing the stress-inducing layer (14) to heat. The mechanical stress produces a crack (20) for separating a solids layer (1), which crack propagates along the modifications (10).

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