DEVICES WITH AN EMBEDDED ZENER DIODE

Invention Application

WO2017176457A1 DEVICES WITH AN EMBEDDED ZENER DIODE 审中-公开

Title translation: 具有嵌入式齐纳二极管的器件

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Patent Title: DEVICES WITH AN EMBEDDED ZENER DIODE
Patent Title (中): 具有嵌入式齐纳二极管的器件
Application No.: PCT/US2017/023718

Application Date: 2017-03-23
Publication No.: WO2017176457A1

Publication Date: 2017-10-12
Inventor: KUO, Chung, C. , KLEBANOV, Maxim
Applicant: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC
Applicant Address: 115 Northeast Cutoff Worcester, Massachusetts 01606 US
Assignee: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC
Current Assignee: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC
Current Assignee Address: 115 Northeast Cutoff Worcester, Massachusetts 01606 US
Agency: MOOSEY, Anthony, T. et al.
Priority: US15/089,787 20160404
Main IPC: H01L29/866
IPC: H01L29/866 ; H01L29/87 ; H01L29/78 ; H01L29/739

Abstract:

In one aspect, a silicon-controlled rectifier (SCR) includes a Zener diode embedded in the SCR. In another aspect, a laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) includes a Zener diode embedded in the LDMOS. In a further aspect, a lateral insulated-gate bipolar transistor (IGBT) includes a Zener diode embedded in the IGBT.

Abstract(Chinese):

在一个方面，可控硅整流器（SCR）包括嵌入在SCR中的齐纳二极管。另一方面，横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）包括嵌入在LDMOS中的齐纳二极管。在另一方面，横向绝缘栅双极晶体管（IGBT）包括嵌入在IGBT中的齐纳二极管。

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Global Dossier Patent Scope Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管
H01L29/866	....齐纳二极管