空孔２が体積比率で６５％以上、９０％以下で設けられた多孔質金属体３と、Ｓｎを主成分とし、多孔質金属体３を被覆する低融点金属１とを備える接合体５０を用いて形成された多孔質金属体３に基づく多孔質金属３０をネットワークとし、多孔質金属３０のネットワークの間を、多孔質金属体３の一部と低融点金属１とで形成された金属間化合物１０で埋められた接合層により、半導体素子１１を絶縁基板１４に接合することで、多孔質金属のネットワークによりクラック発生を抑制する。