发明申请
- 专利标题: 纳米线栅结构的制作方法
- 专利标题(英): WO2018214202A1 - Method for fabricating nanometre line grid structure
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申请号: PCT/CN2017/089261申请日: 2017-06-20
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公开(公告)号: WO2018214202A1公开(公告)日: 2018-11-29
- 发明人: 李明辉
- 申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 申请人地址: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- 专利权人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 当前专利权人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 当前专利权人地址: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- 代理机构: 深圳市德力知识产权代理事务所
- 优先权: CN201710369879.0 20170523
- 主分类号: H01L21/302
- IPC分类号: H01L21/302 ; H01L21/306 ; G02B5/30
摘要:
本发明提供一种纳米线栅结构的制作方法,该方法先通过压印模具在热塑性基板上热压出交替的多个凹槽和多个凸起,再将金属薄膜制作在所述多个凹槽和多个凸起上,接着利用金属粘结胶材将所述凸起上的金属薄膜转移到线栅载体基板上,最后剥离热塑性基板,制得纳米线栅结构,相比于现有技术,整个过程无需光阻涂布、光阻残余层去除、以及金属刻蚀制程,避免了现有技术中刻蚀精度不佳、光阻残余层难以去除、以及金属刻蚀过程中的线栅结构塌陷的问题,能够简化纳米线栅结构的制作流程,缩短纳米线栅结构的制作时间,提升纳米线栅结构的制作效率和制程良率。
IPC分类: