公开(公告)号：WO2023091312A1

公开(公告)日：2023-05-25

申请号：PCT/US2022/048920

申请日：2022-11-04

申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED ,  TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.

发明人： FULFORD, Daniel ,  SCHEPIS, Anthony ,  GARDNER, Mark I. ,  DEVILLERS, Anton ,  FULFORD, H. Jim

IPC分类号： H01L21/302 ,  G03F7/20 ,  H01L21/311

摘要： Aspects of the present disclosure provide a method for improving overlay alignment of patterning by correcting wafer shape. For example, the method can include receiving a wafer having a working surface with at least partially-fabricated semiconductor devices, and a backside surface opposite to the working surface. The method can also include forming a first stressor film on the backside surface. The first stressor film can modify overlay alignment of the working surface in a first direction across the working surface of the wafer. The method can also include forming one or more first semiconductor structures on the working surface of the wafer. The first semiconductor structures are aligned in the first direction.

公开(公告)号：WO2023020906A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/EP2022/072412

申请日：2022-08-10

申请人： MERCK PATENT GMBH

发明人： JACQUINOT, Eric ,  HANUS, Leo ,  GRAHAM, Geary

IPC分类号： C01B33/143 ,  C01B33/152 ,  C01B33/193 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/302

摘要： The present application relates to a method for producing silica particles, and to the silica particles produced by such method. The present application further relates to compositions comprising the silica particles produced by such method as well as to uses of such silica particles and compositions comprising such silica particles.

公开(公告)号：WO2023274547A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/EP2021/068243

申请日：2021-07-01

申请人： MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.

发明人： SMINK, Alexander Everardus Maria ,  BRAUN, Wolfgang ,  BOSCHKER, Johannes ,  MAJER, Lena Nadine

IPC分类号： C30B33/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/3247

摘要： The invention relates to a method of preparing a surface of a bulk substrate as an epitaxial template, to an epitaxial template and to a device comprising such an epitaxial template.

公开(公告)号：WO2022259399A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/JP2021/021848

申请日：2021-06-09

申请人： 株式会社日立ハイテク

发明人： 山口　欣秀

IPC分类号： H01L21/302

摘要： 処理の効率や歩留まりを向上させた半導体デバイスを製造できる半導体製造方法または半導体製造装置を提供するため、典型金属元素を含む処理対象の膜が表面に配置された半導体ウエハを処理室内に配置し、前記処理室内にルイス塩基性の部分分子構造を有する有機化合物を含む有機ガスを供給しつつ当該ガスを前記膜に吸着させた後に前記ウエハの温度を高くして前記膜表面に有機金属錯体を形成して気化して脱離させる第１の工程を少なくとも１回行った後に、前記有機化合物を含む有機ガスを供給しつつ低い温度で前記ガスを前記膜表面に吸着させた後に前記ガスの供給を停止してから前記ウエハの温度を段階的に高くして前記膜表面に形成された有機金属錯体を気化して脱離させる第２の工程を少なくとも１回行って前記処理対象の膜をエッチングする。

公开(公告)号：WO2022230862A1

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：PCT/JP2022/018850

申请日：2022-04-26

申请人： セントラル硝子株式会社

发明人： 北山　光 ,  山内　邦裕 ,  菊池　亜紀応

IPC分类号： H01L21/302

摘要： 本開示の目的は、金属窒化物をプラズマレスで、かつ低温で除去することが可能なガス組成物による表面処理方法を提供することである。 本開示は、被処理体の表面にβ－ジケトン及びＮＯ２を接触させることを特徴とする表面処理方法である。

公开(公告)号：WO2022119732A1

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：PCT/US2021/060159

申请日：2021-11-19

申请人： LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： HUANG, Yanhui ,  CHANDRASEKAR, Vignesh ,  BAPAT, Shriram Vasant ,  VINTILA, Adriana

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00

摘要： A bow compensation layer deposited on a backside of a bowed semiconductor substrate may modulate stress to mitigate asymmetric bowing. In some implementations, the bow compensation layer may be formed by varying precursor concentration adjacent to the backside according to a non-linear mass flow profile along the bowed semiconductor substrate. Precursor flow may be varied in a manner to match or substantially match a parabolic or polynomial function. In some implementations, a showerhead pedestal may vary precursor flow along the bowed semiconductor substrate, where the showerhead pedestal is divided into multiple zones for delivering a first gas to a first zone of a plenum volume and a second gas to a second zone of the plenum volume.

公开(公告)号：WO2022019103A1

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：PCT/JP2021/025391

申请日：2021-07-06

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 岡部　憲明 ,  新藤　尚樹 ,  楊　元 ,  清野　拓哉

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/302

摘要： エッチング方法は、準備工程と、除去工程とを含む。準備工程では、第１の膜、第１の膜上に積層された第２の膜、および、第２の膜上に積層されたハードマスクを有する基板であって、パターンが形成されたハードマスクをマスクとして、第１の膜が露出するまで第２の膜がエッチングされた基板が準備される。除去工程では、フッ素含有ガスを用いて、ハードマスクが除去される。また、除去工程は、フッ素含有ガスの供給が開始されてからハードマスクのエッチングが始まるまでの第１の時間より長く、かつ、フッ素含有ガスの供給が開始されてから第１の膜のエッチングが始まるまでの第２の時間より短い時間、実行される。

公开(公告)号：WO2022015689A1

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：PCT/US2021/041368

申请日：2021-07-13

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  AMERICAN AIR LIQUIDE, INC.

发明人： ARTEAGA MULLER, Rocio, Alejandra ,  HIRAI, Masato ,  ROCHAT, Raphael ,  GIRARD, Jean-marc ,  PALLEM, Venkateswara, R. ,  BLASCO, Nicolas ,  GOSSET, Nicolas ,  ISAJI, Megumi

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11582

摘要： In described embodiments, methods for selective etching (thermal etching) of metals, especially molybdenum- and tungsten-containing materials, and titanium nitride, using thionyl chloride (SOCI2) as an etching gas at low temperatures and low pressure without a need of plasma, for device manufacturing processes and for process chamber cleanings are disclosed. Methods for cleaning reaction product deposits from interior surface of a reactor chamber or from a substrate within said reaction chamber using thionyl chloride (SOCI2) at low temperatures and low pressure without a need of plasma are also disclosed. An additional co-reactant such as hydrogen may be used in combination with thionyl chloride. The processes are carried out in temperature ranging from approximately 150°C to approximately 600°C, pressure under

公开(公告)号：WO2021182311A1

公开(公告)日：2021-09-16

申请号：PCT/JP2021/008547

申请日：2021-03-04

申请人： セントラル硝子株式会社

发明人： 澤村　涼介 ,  鈴木　聖唯 ,  大森　啓之 ,  八尾　章史

IPC分类号： H01L21/302

摘要： シリコン酸化物に、気体のフッ化水素及び気体の有機アミン化合物、気体の有機アミン化合物のフッ化水素塩、又は、気体のフッ化水素、気体の有機アミン化合物及び気体の有機アミン化合物のフッ化水素塩を反応させるシリコン酸化物のドライエッチング方法であって、上記有機アミン化合物は、下記一般式（１）に示される化合物の少なくとも２種を含む有機アミン混合物であることを特徴とするドライエッチング方法。 Ｒ１－Ｎ＝Ｒ２Ｒ３・・・（１） （一般式（１）においてＮは窒素原子である。Ｒ１は、炭素数１～１０の、環やヘテロ原子やハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基である。Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は炭素数１～１０の、環やヘテロ原子やハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基である。但し、炭化水素基は、炭素数が３以上の場合にあっては、分岐鎖構造あるいは環状構造をとっていてもよい。炭化水素基のヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子又はリン原子である。更に、Ｒ１とＲ２が共に炭素数１以上の炭化水素基の場合、Ｒ１とＲ２が直接結合して環状構造をとっていてもよい。更に、Ｒ１またはＲ２が二重結合で直接結合して環状構造を取る場合に、Ｒ３が存在せずに芳香環を形成してもよい。また、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同じ炭化水素基であってもよく、異なる炭化水素基であってもよい。）

公开(公告)号：WO2021163202A1

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：PCT/US2021/017470

申请日：2021-02-10

申请人： HUTCHINSON TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： OLSEN, Clark, T. ,  RIBAR, Jeffery, G.

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/47 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683

摘要： A method for producing a component without tabs during etching. The method includes: applying a wafer tape to the plated side of the substrate; depositing a resist layer on a metal layer on a metal side of the substrate that is opposite of the plated side; exposing the resist layer to UV light; developing the resist layer; and etching the metal layer.