Invention Application
- Patent Title: 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
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Application No.: PCT/JP2021/046541Application Date: 2021-12-16
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Publication No.: WO2022153780A1Publication Date: 2022-07-21
- Inventor: 藤野 純司 , 伊波 康太 , 浅田 晋助 , 巽 裕章
- Applicant: 三菱電機株式会社
- Applicant Address: 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目７番３号 Tokyo
- Assignee: 三菱電機株式会社
- Current Assignee: 三菱電機株式会社
- Current Assignee Address: 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目７番３号 Tokyo
- Agency: 特許業務法人深見特許事務所
- Priority: JP2021-003637 2021-01-13
- Main IPC: H01L23/12
- IPC: H01L23/12 ; H01L23/40 ; H01L25/07 ; H01L25/18 ; H05K1/02
Abstract:
半導体装置（１００）は、半導体素子（１）と、金属部材（２）と、金属薄膜層（３）と、はんだ部（５１）と、合金部（４１）とを備えている。金属薄膜層（３）は、金属部材（２）を覆っている。金属薄膜層（３）は、第１領域（Ｒ１）を含んでいる。はんだ部（５１）は、半導体素子（１）と金属薄膜層（３）の第１領域（Ｒ１）とを接合している。合金部（４１）は、第１領域（Ｒ１）よりも外側に配置されている。合金部（４１）は、金属部材（２）と金属薄膜層（３）との合金である。金属薄膜層（３）は、金属部材（２）よりも高いはんだ部（５１）に対する濡れ性を有している。合金部（４１）は、金属薄膜層（３）よりも低いはんだ部（５１）に対する濡れ性を有している。
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IPC分类:
