Invention Application
- Patent Title: 光掩膜版的形成方法及光掩膜版
- Patent Title (English): PHOTOMASK FORMING METHOD AND PHOTOMASK
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Application No.: PCT/CN2021/101940Application Date: 2021-06-24
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Publication No.: WO2022166080A1Publication Date: 2022-08-11
- Inventor: 朱中钦
- Applicant: 长鑫存储技术有限公司
- Applicant Address: 中国安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号, Anhui 230000
- Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee Address: 中国安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号, Anhui 230000
- Agency: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
- Priority: CN202110141604.8 2021-02-02
- Main IPC: G03F1/42
- IPC: G03F1/42 ; G03F1/44
Abstract:
一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版。光掩膜版的形成方法包括如下步骤:提供基底,基底具有芯片区域(33)、以及位于芯片区域(33)相对两侧的第一切割道(31)和第二切割道(32);于第一切割道(31)中形成第一组标记、并于第二切割道(32)中形成第二组标记,第一组标记包括沿第一切割道(31)的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔(25),第二组标记包括沿第二切割道(32)的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔(26),第一子标记组与第二间隔(26)对准排布、且第二子标记组与第一间隔(25)对准排布。光掩膜版的形成方法及光掩膜版,在切割道宽度较窄的情况下也能够满足在芯片区域(33)相对两侧的切割道中各形成一组标记的要求。
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