光掩膜版的形成方法及光掩膜版
Abstract:
一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版。光掩膜版的形成方法包括如下步骤:提供基底,基底具有芯片区域(33)、以及位于芯片区域(33)相对两侧的第一切割道(31)和第二切割道(32);于第一切割道(31)中形成第一组标记、并于第二切割道(32)中形成第二组标记,第一组标记包括沿第一切割道(31)的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔(25),第二组标记包括沿第二切割道(32)的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔(26),第一子标记组与第二间隔(26)对准排布、且第二子标记组与第一间隔(25)对准排布。光掩膜版的形成方法及光掩膜版,在切割道宽度较窄的情况下也能够满足在芯片区域(33)相对两侧的切割道中各形成一组标记的要求。
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