发明申请
WO2022230834A1 半導体装置
审中-公开
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICE
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申请号： PCT/JP2022/018790申请日： 2022-04-25
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公开(公告)号： WO2022230834A1公开(公告)日： 2022-11-03
- 发明人: 杉本 雅裕 , 松田 慎平 , 樋口 安史 , 則松 和良
- 申请人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
- 申请人地址： 〒6158245 京都府京都市西京区御陵大原１番２９号 Kyoto
- 专利权人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
- 当前专利权人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
- 当前专利权人地址： 〒6158245 京都府京都市西京区御陵大原１番２９号 Kyoto
- 优先权： JP2021-074523 2021-04-26
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/12 ; H01L29/24 ; H01L29/739
摘要：
特にパワーデバイスに有用な、耐圧性に優れた半導体装置を提供する。チャネル層（6）およびドリフト層（7）を含む結晶性酸化物半導体層（8）と、該チャネル層上にゲート絶縁膜（4a）を介して配置されているゲート電極（5a）と、前記チャネル層と前記ドリフト層との間に配置されている電流遮断層（2）とを少なくとも備える半導体装置であって、前記電流遮断層がドーパント元素を含有し、前記電流遮断層中に、前記ドーパント元素の濃度が５．０×１０１７／ｃｍ３以上である領域を含む半導体装置。
IPC分类:
