公开(公告)号：WO2023001374A1

公开(公告)日：2023-01-26

申请号：PCT/EP2021/070466

申请日：2021-07-22

申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. ,  CURATOLA, Gilberto

发明人： SILVESTRI, Marco

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/812 ,  H01L21/34 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L31/00 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/417

摘要： A member includes a silicon base substrate layer, a transition layer arranged over the silicon base substrate layer, and a gallium nitride (GaN) buffer layer arranged over the transition layer. The member further includes a gallium oxide layer. The member is beneficial for co-integration of ultra-wide-bandgap technology with wide bandgap technology, such as by using the gallium oxide layer with the gallium nitride buffer layer on cheap silicon substrates, such as the silicon base substrate layer. Therefore, the member provides access to establish the gallium nitride buffer layer (or gallium nitride) on the silicon base substrate layer (or silicon production lines) with improved thermal conductivity and higher electrical performance.

公开(公告)号：WO2022230834A1

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：PCT/JP2022/018790

申请日：2022-04-25

申请人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

发明人： 杉本　雅裕 ,  松田　慎平 ,  樋口　安史 ,  則松　和良

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739

摘要： 特にパワーデバイスに有用な、耐圧性に優れた半導体装置を提供する。チャネル層（6）およびドリフト層（7）を含む結晶性酸化物半導体層（8）と、該チャネル層上にゲート絶縁膜（4a）を介して配置されているゲート電極（5a）と、前記チャネル層と前記ドリフト層との間に配置されている電流遮断層（2）とを少なくとも備える半導体装置であって、前記電流遮断層がドーパント元素を含有し、前記電流遮断層中に、前記ドーパント元素の濃度が５．０×１０１７／ｃｍ３以上である領域を含む半導体装置。

公开(公告)号：WO2021157719A1

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：PCT/JP2021/004411

申请日：2021-02-05

申请人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

发明人： 松原　佑典 ,  今藤　修 ,  安藤　裕之 ,  竹原　秀樹 ,  四戸　孝 ,  沖川　満

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

摘要： 半導体特性および放熱性に優れた半導体素子および半導体装置を提供する。導電性基板上に、直接または他の層を介して、ガリウムを含有する酸化物を主成分として含む酸化物半導体膜が積層されている積層構造体を含む半導体素子であって、前記導電性基板が、前記酸化物半導体膜よりも大きい面積を有している半導体素子および前記半導体素子をリードフレーム、回路基板または放熱基板と接合部材によって接合してなる半導体装置。

公开(公告)号：WO2021146568A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/US2021/013653

申请日：2021-01-15

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： YIM, Dong Kil ,  BORNIQUEL, Jose-Ignacio Del-Agua

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  C23C14/18 ,  H01L21/8254 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78663

摘要： In some embodiments, a method of processing a substrate disposed atop a substrate support in a physical vapor deposition chamber includes: (a) forming a plasma from a process gas within a processing region of the physical vapor deposition chamber, wherein the process gas comprises an inert gas to sputter silicon from a surface of a target within the processing region of the physical vapor deposition chamber; and (b) depositing an amorphous silicon layer atop a first layer on the substrate, wherein the first layer comprises one or more metal oxides of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), tin (Sn) or combinations thereof.

公开(公告)号：WO2021141126A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/JP2021/000575

申请日：2021-01-08

申请人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

发明人： ▲高▼橋　勲 ,  則松　和良 ,  四戸　孝

IPC分类号： H01L29/78 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 半導体特性、特に電気特性に優れた半導体装置を提供する。半導体層と、前記半導体層の第１面側にそれぞれ配置された第１の電極と第２の電極とを少なくとも有しており、前記半導体層において、前記第１の電極から前記第２の電極へと向かう第１の方向に電流が流れるように構成されている半導体装置であって、前記半導体層がコランダム構造を有し、前記半導体層のｃ軸の方向が前記第１の方向である半導体装置を得る。

公开(公告)号：WO2020261574A1

公开(公告)日：2020-12-30

申请号：PCT/JP2019/025963

申请日：2019-06-28

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 吉川　潤 ,  渡邊　守道 ,  福井　宏史

IPC分类号： H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24

摘要： デバイス特性を均一化可能なα－Ｇａ ２ Ｏ ３ 系半導体膜が提供される。このα－Ｇａ ２ Ｏ ３ 系半導体膜は、α－Ｇａ ２ Ｏ ３ 、又はα－Ｇａ ２ Ｏ ３ 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有する結晶を主相とするものである。この半導体膜は、直径５．０８ｃｍ（２インチ）以上のサイズの円形状であり、半導体膜の表面の中心点Ｘ並びに４つの外周点Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの各々において、結晶の（１０４）面に対してＸ線回折（ＸＲＤ）φスキャン測定を行った場合に、主ピークのピーク強度に対する、回転ドメインに起因する副ピークのピーク強度の割合が１．００％以下である。外周点Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、ｉ）外周点Ａ及び外周点Ｃを結ぶ直線と、外周点Ｂ及び外周点Ｄを結ぶ直線とが中心点Ｘで直角に交わり、かつ、ｉｉ）外周点Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの半導体膜の外縁からの各最短距離が半導体膜の半径の１／５となるように定められる。

公开(公告)号：WO2020119126A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：PCT/CN2019/097280

申请日：2019-07-23

申请人： 广州新视界光电科技有限公司

发明人： 徐华 ,  徐苗 ,  陈子楷 ,  李民 ,  庞佳威 ,  彭俊彪 ,  王磊 ,  邹建华 ,  陶洪

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

摘要： 本申请公开了一种氧化物半导体材料、薄膜晶体管及制备方法和显示面板，该氧化物半导体材料包括：铟的氧化物In 2 O 3 和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物(In 2 O 3 ) a (MO) b ，其中，a+b＝1，0.10≤b≤0.50。

公开(公告)号：WO2020013259A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：PCT/JP2019/027441

申请日：2019-07-11

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 杉本　雅裕 ,  ▲高▼橋　勲 ,  四戸　孝

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

摘要： 反転チャネル領域を少なくとも有する半導体装置であって、前記反転チャネル領域が、少なくとも酸化ガリウムを含有する結晶を含む酸化物半導体膜を有することを特徴とする、半導体装置。

公开(公告)号：WO2019148172A3

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：PCT/US2019/015598

申请日：2019-01-29

申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  KALAEV, Dmitri ,  TULLER, Harry, L.

发明人： KALAEV, Dmitri ,  TULLER, Harry, L.

IPC分类号： G02F1/055 ,  G02F1/1524 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423

摘要： Reconfigurable, active optical components can flexibly manipulate light. One example of these components is an electro-chemo-optical device that utilizes a metal oxide film with a complex refractive index that varies as a function of an oxygen vacancy concentration. The optical device may include a metal oxide film, a first electrode, and a second electrode. The first electrode and the second electrode may be used to supply a bias voltage to induce a change in the oxygen vacancy concentration in order to change the optical properties (absorbance, transmittance, and/or reflectance) of the optical device. The magnitude and spatial distribution of the oxygen vacancy concentration may be altered to affect the optical properties of the optical device. In some designs, the optical device may also include an ionic conductor and oxygen source to supply/receive oxygen ions to/from the metal oxide film.

公开(公告)号：WO2019037167A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：PCT/CN2017/102011

申请日：2017-09-18

申请人： 惠科股份有限公司 ,  重庆惠科金渝光电科技有限公司

发明人： 卓猷仁

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06

摘要： 一种主动阵列开关基板及显示面板，主动阵列开关基板包括：基板（100）和形成于基板上的多个主动开关，主动开关包括：栅极电极结构（1），形成于栅极电极结构上的绝缘保护层（4），形成于绝缘保护层上的有源层（11），形成于有源层的一侧上与有源层形成欧姆接触的源极电极层（2），形成于有源层的另一侧上与有源层形成欧姆接触的漏极电极层（3），形成于有源层上位于源极电极层与漏极电极层之间的第一浓度掺杂层（12），覆盖于有源层、源极电极层与漏极电极层上的钝化层（5），以及覆盖于钝化层与漏极电极层上的像素电极层（6）。