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发明申请
WO2022244575A1 光電変換素子および撮像装置 审中-公开

光電変換素子および撮像装置
摘要：
光電変換素子は、光電変換層（４）と、光電変換層（４）で発生する正孔を捕集する第１電極（２）と、光電変換層（４）を挟んで第１電極（２）と対向し、光電変換層（４）で発生する電子を捕集する第２電極（３）と、を備える。光電変換層（４）は、第１配位子で表面が修飾された複数の第１量子ドットを含む第１量子ドット層（４ａ）と、第１量子ドット層（４ａ）と第２電極（３）との間に位置し、第１配位子とは異なる第２配位子で表面が修飾された複数の第２量子ドットを含む第２量子ドット層（４ｂ）と、を含む。第２量子ドット層（４ｂ）のイオン化ポテンシャルは、第１量子ドット層（４ａ）のイオン化ポテンシャルよりも大きい。複数の第２量子ドットの粒子径分布を示す第２の値は、複数の第１量子ドットの粒子径分布を示す第１の値よりも小さい。
摘要（英）：

A photoelectric conversion element comprising: a photoelectric conversion layer (4); a first electrode (2) for collecting holes generated in the photoelectric conversion layer (4); and a second electrode (3) opposite to the first electrode (2) with the photoelectric conversion layer (4) therebetween to collect electrons generated in the photoelectric conversion layer (4). The photoelectric conversion layer (4) includes a first quantum dot layer (4a) including a plurality of first quantum dots with a surface modified by a first ligand, and a second quantum dot layer (4b) positioned between the first quantum dot layer (4a) and the second electrode (3) and including a plurality of second quantum dots with a surface modified by a second ligand different from the first ligand. The ionization potential of the second quantum dot layer (4b) is greater than the ionization potential of the first quantum dot layer (4a). A second value indicating the particle diameter distribution of the plurality of second quantum dots is smaller than a first value indicating the particle diameter distribution of the plurality of first quantum dots.

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