公开(公告)号：WO2023059548A1

公开(公告)日：2023-04-13

申请号：PCT/US2022/045528

申请日：2022-10-03

申请人： ANALOG DEVICES INC.

发明人： IUTZI, Ryan M.

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/111

摘要： Systems, devices, and methods for optical sensing applications. An example multi-wavelength light emitter structure including a substrate; and a vertical structure over the substrate and extending vertically away from the substrate along an axis, the vertical structure comprising a first active region including one or more cascade stages of superlattices for light emission at a first wavelength; a second active region including one or more cascade stages of superlattices for light emission at a second wavelength different from the first wavelength, wherein the second active region is closer to the substrate than the first active region and spaced apart from the first active region; and an electrically conductive material along sidewalls of at least one of the first active region or the second active region.

公开(公告)号：WO2023045171A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/CN2021/143373

申请日：2021-12-30

申请人： 华南理工大学

发明人： 李国强 ,  孔德麒 ,  王文樑 ,  陈亮

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光电探测器的技术领域，公开了一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用。所述光电探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、InGaN层和MoSe 2层，MoSe 2层部分覆盖InGaN层；光电探测器还包括阻隔层和电极层；阻隔层设置在未被MoSe 2层覆盖的InGaN层及部分MoSe 2层上，电极层设置在阻隔层上并覆盖部分MoSe 2层上裸露部分。本发明还公开了探测器的制备方法。本发明的探测器实现红光与蓝光同时探测；在探测芯片表面进行增敏微纳结构设计，提升了蓝光与红光波段的量子效率，增强蓝光与红光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。本发明的探测器用于蓝光和/或红光多频谱光电探测。

公开(公告)号：WO2023039257A1

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/US2022/043245

申请日：2022-09-12

申请人： LEAP PHOTOVOLTAICS INC.

发明人： NEEDLEMAN, David Berney ,  ROBINSON, Matthew ,  FEHRENBACH, Nathanael ,  MEI, Jimmy ,  LEPERT, Arnaud

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

摘要： Photovoltaic devices and methods for fabricating a photovoltaic devices. The method includes applying a coating layer that surrounds each of a plurality of silicon particles. The method also includes implanting the plurality of silicon particles into a substrate layer such that an exposed portion of each of the plurality of silicon particles extends away from a surface of the substrate layer. The method further includes removing a portion of the coating layer that is positioned around the exposed portion of each of the plurality of silicon particles. The method also includes placing an insulator layer on the surface of the substrate layer. The method further includes placing a selective carrier transport layer on the exposed portion of each of the plurality of silicon particles.

公开(公告)号：WO2023025246A1

公开(公告)日：2023-03-02

申请号：PCT/CN2022/114831

申请日：2022-08-25

申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司

发明人： 王伟民 ,  陈亮

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/60

摘要： 一种薄膜型半导体芯片结构，该结构利用金属材料，将分别制成P型金属和N型金属的其中之一作为衬底（108），另一金属作为金属侧壁（109）。金属侧壁与金属衬底绝缘连接，形成立体的光学反射腔体（1）。在光学反射腔体顶部覆盖透明导电层（102），并在光学反射腔体中设置光电转换层（104），从而形成"光格"（100）。立体光格结构只能通过光学反射腔体顶部的透明导电层所在的平面发射或者收集光子。多个光格聚集在一起，则构成"光格阵列"。

公开(公告)号：WO2022261829A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：PCT/CN2021/100151

申请日：2021-06-15

申请人： 中山大学

发明人： 江灏 ,  吕泽升

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

摘要： 本发明涉及光电探测器的技术领域，具体涉及一种Ⅲ族氮化物异质结光电探测器，包括探测器以及制备于探测器上的器件，所述探测器所用材料为Ⅲ族氮化物材料，所述器件包括从下到上依次设置的衬底层、下接触层、下势垒层、上势垒层和上接触层；所述上接触层和下接触层上分别设有上接触电极和下接触电极；所述上势垒层和下势垒层为异质结构，且所述上势垒层和下势垒层的界面上形成负极化电荷。本发明主要利用Ⅲ族氮化物异质界面的极化电荷来产生器件势垒，从而获得低暗电流、高光增益、快速响应的效果。本发明的光电探测器对应的探测波段可覆盖Ⅲ族氮化物材料禁带宽度所对应的深紫外到近红外波段，具有波长选择范围广、应用范围广的有益效果。

公开(公告)号：WO2022244575A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：PCT/JP2022/018142

申请日：2022-04-19

申请人： パナソニックＩＰマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]

发明人： 町田　真一 MACHIDA Shinichi ,  松川　望 MATSUKAWA Nozomu ,  佐野　文哉 SANO Fumiya

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30

摘要： 光電変換素子は、光電変換層（４）と、光電変換層（４）で発生する正孔を捕集する第１電極（２）と、光電変換層（４）を挟んで第１電極（２）と対向し、光電変換層（４）で発生する電子を捕集する第２電極（３）と、を備える。光電変換層（４）は、第１配位子で表面が修飾された複数の第１量子ドットを含む第１量子ドット層（４ａ）と、第１量子ドット層（４ａ）と第２電極（３）との間に位置し、第１配位子とは異なる第２配位子で表面が修飾された複数の第２量子ドットを含む第２量子ドット層（４ｂ）と、を含む。第２量子ドット層（４ｂ）のイオン化ポテンシャルは、第１量子ドット層（４ａ）のイオン化ポテンシャルよりも大きい。複数の第２量子ドットの粒子径分布を示す第２の値は、複数の第１量子ドットの粒子径分布を示す第１の値よりも小さい。

公开(公告)号：WO2022238939A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/IB2022/054406

申请日：2022-05-11

申请人： NVISION IMAGING TECHNOLOGIES GMBH

发明人： SCHWARTZ, Ilai ,  PFENDER, Matthias ,  SCHAUB, Tobias ,  NEUMANN, Philipp

IPC分类号： G06N10/40 ,  H01L31/0352

摘要： The present disclosure describes non-classical (e.g., quantum) computing systems and methods that utilize dopant molecules contained in host materials as qubits.

公开(公告)号：WO2022223272A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/EP2022/058878

申请日：2022-04-04

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： DUPONT, Florian

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/28 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/50

摘要： La présente description concerne un dispositif optoélectronique comportant un circuit intégré de contrôle et, du côté d'une face dudit circuit intégré, un empilement (100) comprenant une alternance d'au moins une couche semiconductrice (101) d'un premier matériau et de couches semiconductrices (103) d'un deuxième matériau, chaque couche (101) du premier matériau étant prise en sandwich entre deux couches (103) du deuxième matériau et définissant un puits quantique, dans lequel le premier matériau est un matériau pérovskite inorganique, et le deuxième matériau est un matériau semiconducteur inorganique.

公开(公告)号：WO2022134994A1

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：PCT/CN2021/132488

申请日：2021-11-23

申请人： 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司

发明人： 李华 ,  刘继宇

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本公开提供一种太阳电池及生产方法、光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳电池包括：硅基底、第一氮化钛层以及第二氮化钛层；第一氮化钛层具有空穴选择性，第二氮化钛层具有电子选择性；第一氮化钛层和第二氮化钛层分别位于硅基底的向光面和背光面；或分别位于硅基底的背光面的第一区域和第二区域。本申请中，第一氮化钛层和第二氮化钛层用于载流子分离，无需对硅基底进行掺杂，从而避免了掺杂技术引起的不利因素，同时，由于第一氮化钛层和第二氮化钛层的生产工艺通常小于或等于500摄氏度，温度较低，减少了杂质，从而减少了由于杂质带入的额外的复合中心，使得少数载流子的寿命较长，进而降低了太阳电池的复合速率，提高了太阳电池的效率。

公开(公告)号：WO2022134992A1

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：PCT/CN2021/132485

申请日：2021-11-23

申请人： 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司

发明人： 刘继宇 ,  李华

IPC分类号： H01L31/0352

摘要： 本公开提供一种太阳能电池及生产方法、光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底、氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在氮化钛层远离硅基底的一面，金属电极层设置在低功函数金属层远离氮化钛层的一面；其中，低功函数金属层中包含的低功函数金属高于金属钛的活性。本公开中，若作为载流子选择传输层的氮化钛层被氧化而生成氧化钛层，则低功函数金属层可以还原氧化钛层，从而提高氮化钛层的导电性，使得电子传输效率得到提升，降低了金属电极与氮化钛层之间的势垒高度，从而可以降低太阳能电池的接触电阻，提高太阳能电池的效率。