Ein Verfahren zum Bestimmen eines Einschaltwiderstands eines Feldeffekt-Transistors weist auf: eine Vorab-Stufe vor einer Verwendung des Feldeffekt-Transistors (1) und eine Betriebs-Stufe bei einem Betrieb des Feldeffekt-Transistors (1) als ein Schalter. Die Vorab-Stufe enthält: Bestimmen einer Referenz-Umgebungstemperatur des Feldeffekt-Transistors (1), Messen eines Referenz-Ausgangsstroms des Feldeffekt-Transistors (1) bei eingeschaltetem Feldeffekt-Transistor (1) bei der Referenz-Umgebungstemperatur, Messen einer Referenz-Ausgangsspannung des Feldeffekt-Transistors (1) bei eingeschaltetem Feldeffekt-Transistor (1) bei der Referenz-Umgebungstemperatur, Bestimmen eines Referenz-Einschaltwiderstands des Feldeffekt-Transistors (1) anhand des Referenz-Ausgangsstroms und der Referenz-Ausgangsspannung, Bestimmen eines Temperaturkorrekturfaktors für den Einschaltwiderstand des Feldeffekt-Transistors (1), Speichern des Temperaturkorrekturfaktors, und Speichern des Referenz-Einschaltwiderstands. Die Betriebs-Stufe enthält: Messen einer Ist-Temperatur des Feldeffekt-Transistors (1), und Bestimmen eines Ist-Einschaltwiderstands des Feldeffekt-Transistors (1) aus dem Referenz-Einschaltwiderstand, der Differenz zwischen der Ist-Temperatur und der Referenztemperatur und dem Temperaturkorrekturfaktor.