ピッチ変換ユニット及びその製造方法

    公开(公告)号:WO2023080206A1

    公开(公告)日:2023-05-11

    申请号:PCT/JP2022/041213

    申请日:2022-11-04

    Abstract: 複数の接触端子側電極のピッチを複数の装置側電極のピッチに変換するピッチ変換ユニットにおいて、絶縁層を厚み方向に貫通する導電性ビアと導電層との接合強度を向上可能な構成を提供する。ピッチ変換ユニット1は、厚み方向に積層される複数の樹脂層12と、樹脂層12を前記厚み方向に貫通する複数の貫通導電体33と、前記厚み方向に隣り合う2つの樹脂層12に対して対向側に位置し、複数の貫通導電体33のうち隣り合う2つの樹脂層12をそれぞれ前記厚み方向に貫通する貫通導電体33に電気的に接続される一対の導電層36と、一対の導電層36の間に位置する絶縁層13と、絶縁層13を前記厚み方向に貫通して、端部が一対の導電層36に接合されている導電性ビア34とを有する。一対の導電層36のうち一方の導電層36は、導電性ビア34との接合部分の少なくとも一部に、前記厚み方向に窪んだ凹部40を有する。

    电子器件的测试方法及测试装置
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2023070777A1

    公开(公告)日:2023-05-04

    申请号:PCT/CN2021/131551

    申请日:2021-11-18

    Inventor: 程振 李志雄

    Abstract: 一种电子器件测试方法及测试装置,测试方法包括:提供一测试电路板(200),测试电路板(200)上设有第一接触点;在测试电路板(200)与被测电子器件之间设置柔性导电层;其中,被测电子器件上设有第二接触点;对测试电路板(200)和被测电子器件进行压合,使对应的第一接触点和第二接触点通过柔性导电层电连接,以利用测试电路板(200)对被测电子器件进行测试。测试方法在增加测试频率的同时减少成本的增加。

    PROCÉDÉ DE CARACTÉRISATION EN MODE IMPULSIONNEL D'UN TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR III-V ET BANC DE MESURES ASSOCIÉ

    公开(公告)号:WO2023062452A1

    公开(公告)日:2023-04-20

    申请号:PCT/IB2022/058094

    申请日:2022-08-30

    Abstract: Procédé de caractérisation en mode impulsionnel d'un transistor à semi-conducteur III-V et banc de mesures associé La présente invention concerne un procédé de caractérisation en mode impulsionnel d'un transistor (2) à semi-conducteur III-V et un banc de mesure (1) associé, dans lesquels une pré-impulsion RF est appliquée sur la grille (2a) du transistor (2) avec un niveau de puissance NRF défini selon une première loi de variation prédéterminée de manière à fixer l'état de charge des pièges dans le transistor (2), puis une première impulsion DC et une seconde impulsion DC sont respectivement appliquées sur la grille (2a) et le drain (2b) du transistor (2), la première impulsion DC et la seconde impulsion DC ayant respectivement un premier niveau DC N1 et un second niveau DC N2 définis selon une seconde loi de variation prédéterminée.

    試験装置、試験方法およびプログラム

    公开(公告)号:WO2023037662A1

    公开(公告)日:2023-03-16

    申请号:PCT/JP2022/020674

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 試験対象となる複数の発光素子を発光させる発光制御部と、複数の発光素子からの光を受光して、受光した光の波長を測定する光測定部と、光測定部により測定された複数の発光素子からの光の波長の強度分布に基づいて、複数の発光素子のうちの少なくとも1つの発光素子に異常があるか否かを判定する判定部とを備える試験装置を提供する。試験装置は、光源と、光源からの光を複数の発光素子へと照射する光学系と、複数の発光素子のそれぞれが照射された光を光電変換した光電信号を測定する電気測定部とを更に備えてもよく、光測定部は、複数の発光素子からの光を光学系を介して受光してもよい。

    로봇 및 로봇의 제어 방법
    5.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2023027341A1

    公开(公告)日:2023-03-02

    申请号:PCT/KR2022/010483

    申请日:2022-07-19

    Inventor: 김진원 백아론

    Abstract: 로봇이 개시된다. 본 로봇은 주행부, 라이다 센서 및 라이다 센서를 이용하여 로봇과 로봇 주변의 오브젝트 간의 제1 거리 데이터를 획득하고, 제1 거리 데이터에 기초하여 라인 형태를 갖는 오브젝트에 대응되는 라인 데이터를 획득하고, 라인 데이터가 획득되면, 로봇이 이동되도록 주행부를 제어하고, 로봇이 이동하는 동안 라이다 센서에 의해 획득되는 제2 거리 데이터에 기초하여 라인 데이터에 대한 트래킹을 수행하여, 트래킹되는 라인 데이터의 곡률 값을 식별하고, 곡률 값의 변화에 기초하여 라이다 센서의 고장 여부를 식별하는 프로세서를 포함한다.

    강유전체 트랜지스터의 스위칭 전하 측정 방법 및 장치

    公开(公告)号:WO2023022453A1

    公开(公告)日:2023-02-23

    申请号:PCT/KR2022/012138

    申请日:2022-08-12

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 전하 측정장치는 게이트 산화물을 포함하는 트랜지스터의 게이트에 미리 정해진 주파수의 전압 펄스를 인가하는 전압 인가부, 전압 펄스에 응답하여, 트랜지스터의 웰(well)과 상기 트랜지스터의 소스(source)의 사이 및 트랜지스터의 웰과 드레인(drain)사이 중 적어도 어느 하나의 평균 직류 전류를 측정하는 SMU(source measure unit) 및 측정된 평균 직류 전류를 기초로 스위칭 전하를 계산하는 프로세서를 포함하며, 게이트 산화물은 강유전체를 포함할 수 있다.

    半导体结构及其制造方法
    7.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2023019657A1

    公开(公告)日:2023-02-23

    申请号:PCT/CN2021/116890

    申请日:2021-09-07

    Inventor: 李宗翰 刘志拯

    Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括:半导体衬底;第一金属层,位于所述半导体衬底表面;第二金属层,位于所述第一金属层表面的上方;绝缘层,位于所述第一金属层和所述第二金属层之间,用于隔离所述第一金属层和第二金属层;至少四个通孔,位于所述绝缘层中,所述至少四个通孔中具有用于连接所述第一金属层和所述第二金属层的导电材料。

    プローブカード
    8.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2023008227A1

    公开(公告)日:2023-02-02

    申请号:PCT/JP2022/027830

    申请日:2022-07-15

    Inventor: 軣木 岳史

    Abstract: 絶縁層と、少なくとも一部分が前記絶縁層の表面に沿って延伸する第1導体と、少なくとも一部分が前記絶縁層の少なくとも一部分を貫通する第2導体と、を備えるプローブカード。

    TEMPERATURE CONTROL SYSTEM INCLUDING CONTACTOR ASSEMBLY

    公开(公告)号:WO2023278632A1

    公开(公告)日:2023-01-05

    申请号:PCT/US2022/035600

    申请日:2022-06-29

    Abstract: A method for controlling temperature in a temperature control system. The method includes providing a temperature control system including a controller, a first contactor assembly having a first channel system, a plurality of first contacts, each of the first contacts including a portion that is disposed within the first channel system, and one or more of a first exhaust valve or a first inlet valve, and a second contactor assembly having a second channel system, a plurality of second contacts, each of the second contacts including a portion that is disposed within the second channel system, and one or more of a second exhaust valve or a second inlet valve. The method also includes receiving, by the first contactor assembly, a fluid at a first temperature. The method also includes receiving, by the second contactor assembly, the fluid at the first temperature.

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