可见及近红外光波段减反射膜及制造方法

    公开(公告)号:CN109112479B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201811032940.3

    申请日:2018-09-05

    摘要: 本发明提供一种可见及近红外光波段减反射膜:包括从里到外依次设置第一层SiO2层、第二层Ti3O5层、第三层SiO2层、第四层Ti3O5层、第五层SiO2层、第六层Ti3O5层、第七层SiO2层、第八层Ti3O5层、第九层MgF2层和第十层SiO2层。本发明还提供一种可见及近红外光波段减反射膜制造方法,包括以下步骤:1)、使用离子束辅助沉积真空镀膜技术在基板上依次镀制第一层至第八层;2)、再使用离子束辅助沉积真空镀膜技术且不通氧气镀制第九层MgF2层;3)、使用离子束辅助沉积真空镀膜技术镀制第十层SiO2层。本发明选用常规三种材料进行设计,极薄层剔除,更容易控制,适合批量稳定生产;增加保护层,有利于生产后道清洗。

    可见及近红外光波段减反射膜及制造方法

    公开(公告)号:CN109112479A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201811032940.3

    申请日:2018-09-05

    摘要: 本发明提供一种可见及近红外光波段减反射膜:包括从里到外依次设置第一层SiO2层、第二层Ti3O5层、第三层SiO2层、第四层Ti3O5层、第五层SiO2层、第六层Ti3O5层、第七层SiO2层、第八层Ti3O5层、第九层MgF2层和第十层SiO2层。本发明还提供一种可见及近红外光波段减反射膜制造方法,包括以下步骤:1)、使用离子束辅助沉积真空镀膜技术在基板上依次镀制第一层至第八层;2)、再使用离子束辅助沉积真空镀膜技术且不通氧气镀制第九层MgF2层;3)、使用离子束辅助沉积真空镀膜技术镀制第十层SiO2层。本发明选用常规三种材料进行设计,极薄层剔除,更容易控制,适合批量稳定生产;增加保护层,有利于生产后道清洗。

    单面生长石英晶体及其生长方法

    公开(公告)号:CN109112629A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201811039563.6

    申请日:2018-09-06

    IPC分类号: C30B29/18 C30B7/10

    摘要: 本发明提供一种单面生长石英晶体的生长方法,令石英晶体只在籽晶片的光轴面生长,同时限制了石英晶体的正电轴方向的生长;本发明通过人为限制石英晶体生长方向,改变高压釜内溶液与石英晶体生长界面的对流状态,使制备获得的单面生长石英晶体具有较大的尺寸、很低的杂质含量以及良好的透过率,其包裹体指标达到国家标准GB/T7895-2008中的Ⅰa级、条纹指标达到国家标准GB/T7895-2008中的1级和光学均匀性达到国家标准GB/T7895-2008中的A级,达到目前国家标准中的顶尖水平。

    高纯石英晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN106917142A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201710150945.5

    申请日:2017-03-14

    IPC分类号: C30B29/18 C30B7/08

    CPC分类号: C30B29/18 C30B7/08

    摘要: 本发明公开了一种高纯石英晶体的生长方法,包括以下步骤:选择铝含量<20ppm的石英作为原料,对其进行清洗,得清洗后石英原料;利用氢氧化钠溶液对高压釜内壁以及位于高压釜内的原料筐、内挡板及带有籽晶片的籽晶架进行表面防护层处理;将清洗后石英原料放入表面防护层处理后的原料筐内,然后向高压釜内加入晶体生长工艺溶液,控制溶解区与生长区的温差为20~30℃,控制晶体每天生长速率为0.23~0.37mm、生长时间为60±5天;采用电清洗技术,在高温高电场下对上述生成所得的石英晶体进行排除杂质。

    红外截止滤光片
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106405705A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201510566272.2

    申请日:2015-09-03

    发明人: 蒋文山 刘盛浦

    IPC分类号: G02B5/20 G02B5/28

    摘要: 本发明公开了一种红外截止滤光片,具有小于0.3mm厚度的超薄基板,在基板的两个侧面分别设置透明镀膜,所述的透明镀膜为相对于基板对称设置的红外截止镀膜,所述的红外截止镀膜为17~21奇数层的红外截止镀膜的复合膜膜堆,所述的17~21奇数层的红外截止镀膜的复合膜膜堆为两种不同折射率的、间隔排列的红外截止镀膜的复合膜膜堆,所述的17~21奇数层的两种不同折射率的、间隔排列的红外截止镀膜的复合膜膜堆为2100~2600nm叠加厚度的红外截止镀膜的复合膜膜堆。本发明在使用波段下的反射光残量可控制在0.1%以下,光的穿透率指标可以达到99.6%,采用本发明的红外截止滤光片后摄像头的成像无光晕现象,影像清晰。

    光学级石英晶体的电/电磁清洗方法

    公开(公告)号:CN108889726A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201811033245.9

    申请日:2018-09-05

    IPC分类号: B08B6/00

    摘要: 本发明公开了一种光学级石英晶体的电/电磁清洗方法:在石英晶体的Z轴方向的上下两个表面分别蒸镀金属电极层,放置于高温加热炉中,通过电极对石英晶体沿Z轴加载电场,从而使杂质离子产生定向迁移作用。于垂直Z轴方向加以磁场,使已离子化的杂质受磁力推引,加速往Z轴方向移动。采用本发明的方法能显著降低石英晶体腐蚀隧道密度和钠离子质量分数。

    一种紫外波段负滤光片的激光切割装置

    公开(公告)号:CN213592073U

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202022589511.5

    申请日:2020-11-11

    IPC分类号: B23K26/38 B23K26/70

    摘要: 本实用新型涉及滤光片生产技术领域,且公开了一种紫外波段负滤光片的激光切割装置,解决了紫外波段负滤光片在切割操作中需要人工进行搬运和按压,导致切割不稳和效率低以及切割长度不一的问题,其包括支撑座,所述支撑座上开设有凹槽,凹槽的内部设有传送机构,支撑座的顶端设有紫外波段负滤光片,支撑座的顶端一侧设有支撑架,支撑架的两侧对称设有挡板,支撑架为L形结构;通过电动伸缩杆、止挡板和长度标记机构的配合设置,便于调节紫外波段负滤光片的切割长度,使滤光片切割长度一致,避免切割后的滤光片出现大小不一的情况,进而提高了紫外波段负滤光片的切割质量。

    外圆多刀切割机
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213471330U

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202022585158.3

    申请日:2020-11-11

    摘要: 本实用新型涉及切割机技术领域,且公开了外圆多刀切割机,解决了现有的外圆多刀切割机不能有效的进行切割高度的调节,以及不能稳定且有效的对不同大小的板材进行固定的问题,其包括底座,所述底座顶部的一端固定安装有梯形放置块,梯形放置块的顶部设有调节机构,调节机构的顶部安装有切割电机,切割电机的输出端安装有切割组件,底座底部的一端安装有转动电机,底座顶部的另一端设有圆盘,转动电机的输出端与圆盘的底部固定相连接;本外圆多刀切割机能够便捷有效的进行切割高度的调节,从而提高了设备的实用性能,也有效的降低了生产加工的成本,同时本设备能够针对不同大小的板材进行调节而进行牢固的固定,从而保证了切割的稳定性。