-
公开(公告)号：CN106917142A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710150945.5
申请日：2017-03-14
申请人： 浙江博达光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯石英晶体的生长方法，包括以下步骤：选择铝含量＜20ppm的石英作为原料，对其进行清洗，得清洗后石英原料；利用氢氧化钠溶液对高压釜内壁以及位于高压釜内的原料筐、内挡板及带有籽晶片的籽晶架进行表面防护层处理；将清洗后石英原料放入表面防护层处理后的原料筐内，然后向高压釜内加入晶体生长工艺溶液，控制溶解区与生长区的温差为20～30℃，控制晶体每天生长速率为0.23～0.37mm、生长时间为60±5天；采用电清洗技术，在高温高电场下对上述生成所得的石英晶体进行排除杂质。
-
公开(公告)号：CN106884206A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710160821.5
申请日：2017-03-17
申请人： 青岛大学
CPC分类号： C30B29/54 , C30B7/08 , G02F1/3551 , G02F1/3613
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种籽晶的生长方法，尤其是一种有机非线性光学晶体用籽晶的生长方法，用于高质量有机晶体生长场合，解决自发成核过程中晶核品质和数量难以控制，晶核之间易粘连的难题，实现自发成核过程中晶核品质和数量可控，有效避免晶核之间的粘连，提高籽晶的品质；先将有机晶体原料与有机溶剂混合，再进行抽滤和热处理，然后在育晶缸中保温，再缓慢降温，当溶液温度降至亚稳区间时，放入晶体薄片，并进一步降低降温速率，制得籽晶，其原理可靠，操作简单，品质好，效率高，对于光电子类新材料制备领域具有举足轻重的作用，能够用于制备光电子器件，具有良好的经济效益和广阔的市场前景。
-
公开(公告)号：CN106637381A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710068585.4
申请日：2017-02-08
申请人： 江南大学
摘要： 本发明涉及一种晶体生长过程高精度温度控制系统，系统包括生长装置、过滤装置和控制装置。控制装置由PLC、触摸屏、输入接口、输出接口、固态继电器和高精度智能温度控制表组成；PLC通过输入接口与过滤装置中液位开关及测温热电阻相连，通过输出接口与过滤装置中的电加热、电磁阀、循环泵及输送泵相连，与生长装置中的电磁阀、循环泵、直流电机相连；PLC主机通过RS485接口与高精度智能温度控制表相连，智能温度控制表的输入直接与生长装置中测温热电阻相连，智能温度控制表的输出通过固态继电器控制育晶罐夹套内的电加热器从而控制生长液温度，控制精度达到±0.01℃。本发明系统提高了大尺寸KDP晶体的生长质量。
-
公开(公告)号：CN105951167A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610293981.2
申请日：2016-05-05
申请人： 国家纳米科学中心
CPC分类号： C30B7/08 , C30B29/54 , H01L51/0032
摘要： 本发明提供一种超薄带状微米尺度有机小分子单晶及其制备方法和应用，所述方法为：将有机小分子溶解在低沸点溶剂中获得过饱和溶液，降温获得含有自组装小分子籽晶的有机小分子溶液，将该溶液在低温衬底上制备得到所述有机小分子单晶。本发明的制备方法无需退火，短时间内即可制备得到分散性良好的超薄微米尺度有机小分子单晶，本方法在较低温度、常压下进行，制备工艺简单，易于控制，具有普适性。制备得到的有机小分子单晶尺寸大且厚度小，分散性良好，无开裂，可用于制备单晶场效应晶体管，从而获得高迁移率。
-
公开(公告)号：CN105742507A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610121585.1
申请日：2016-02-29
申请人： 上海科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/0032 , C30B7/08 , C30B7/14 , C30B29/54 , H01L51/42
摘要： 本发明提供了一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料，其特征在于，其化学式为MA1?xEAxPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，EA+为乙铵阳离子，所述的x的取值范围为0.09?0.15和0.20?0.24，不包含0.15和0.20；或者，其化学式为MA1?yDMAyPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，DMA+为二甲铵阳离子，y的取值范围为0.10?0.15。本发明的具有立方钙钛矿结构的半导体材料在室温下以完美立方结构稳定存在，这对于三碘合铅酸类钙钛矿材料是首次报道。
-
公开(公告)号：CN102869674B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180020197.X
申请日：2011-04-21
申请人： 协和发酵生化株式会社
CPC分类号： C07K5/0215 , C30B7/08 , C30B29/54
摘要： 本发明提供了新型氧化型谷胱甘肽六水合物的晶体。通过将含氧化型谷胱甘肽的水溶液冷却至15℃以下来析出氧化型谷胱甘肽六水合物的晶体而制造氧化型谷胱甘肽六水合物的晶体。
-
公开(公告)号：CN103561855A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280011902.4
申请日：2012-03-03
申请人： 公立大学法人名古屋市立大学 , 富士化学株式会社
IPC分类号： B01J13/00 , C01B33/146 , C01G23/047 , C08J3/00
CPC分类号： C30B7/08 , C01B33/1415 , C01B33/18 , C01G23/047 , C08J3/12 , C08J3/126 , C08J3/14 , C08J3/16 , C08J2325/08 , C08J2433/12 , C30B5/00 , C30B29/60
摘要： 本发明提供一种容易控制且能够根据胶体粒子的种类进行大范围应对的胶体晶体的制造方法。本发明的胶体晶体的制造方法，其特征在于，包含以下工序:制备工序，在含有离子性表面活性剂的液体中分散胶体粒子，准备能够利用温度变化而使胶体晶体析出的胶体分散液；以及结晶化工序，通过使该胶体分散液的温度从不析出胶体晶体的温度区域向析出该胶体晶体的温度区域变化，从而使该胶体晶体析出。
-
公开(公告)号：CN109137061A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811200477.9
申请日：2018-10-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： C30B7/08
CPC分类号： C30B7/08
摘要： 本发明涉及一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统，属于晶体生长中热场设计技术领域。本发明的坩埚系统，包括炉体内胆、散热底盘和坩埚。散热底盘置于炉体内胆下部，所述的坩埚置于炉体内胆内的散热底盘上。坩埚由坩埚本体和坩埚密封盖组成，坩埚密封盖盖在坩埚本体上，坩埚本体具有椭圆型底部结构本发明的坩埚系统，可以用于无籽晶法或者底部带籽晶的溶液法晶体生长中，通过特殊的散热设计，即可保证在溶液法生长晶体过程中界面为水平或微凸状态，有利于提高晶体生长质量。同时由于该设计结构简单，具有较强的可靠性，便于获得重复性生长结果。
-
公开(公告)号：CN105025898B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201480012369.2
申请日：2014-03-06
申请人： 詹森药业有限公司
IPC分类号： A61K31/497 , A61K31/506 , C07D401/14
CPC分类号： C07D401/14 , C07B2200/13 , C07C51/43 , C30B7/08 , C30B29/54
摘要： 本发明公开了苯并咪唑‑2‑基嘧啶、其纯化方法，以及用于治疗由H4受体活性介导的包括变态反应、哮喘、自身免疫性疾病和瘙痒症在内的疾病状态、障碍和病症的药物组合物和方法。
-
公开(公告)号：CN107345316A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710552080.5
申请日：2017-07-07
CPC分类号： C30B29/62 , C30B7/08 , C30B29/22 , C30B35/007
摘要： 一种离子液体预处理脱硫石膏生产硫酸钙晶须的方法包括：将脱硫石膏原料在室温下与[Bmim][PF6]离子液体进行混合萃取重金属，分离后经焚烧研磨后进行水热反应并控制体系pH，趁热过滤可获得长径比为100-200:1的硫酸钙晶须前体，之后通过重结晶方式获得高品质的硫酸钙晶须。本发明的优点是：采用离子液体预处理有效去除脱硫石膏中Ni、Cu、Pb等重金属；引入的pH调节剂能够在保证体系纯度的条件下促进晶须生长；离子液体经减压浓缩后可再生使用；此外本发明所需设备简单，工艺简便，且不会造成附加的环境危害，实现了脱硫石膏废弃物的资源化利用，具有极其深远的社会意义和经济价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
54 条记录 (耗时 0.016 秒)
