公开(公告)号：CN112154376B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201980031898.X

申请日：2019-06-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 石川彰 ,  大久保敦 ,  小野阳介 ,  高村一夫

IPC: G03F1/64 ,  H01L21/673

Abstract: 提供支撑框、在该支撑框上设置有极紫外光光刻用的防护膜的防护膜组件、和支撑框的制造方法、以及使用它们的曝光原版和曝光装置，该支撑框在通气孔上设置有能够容易装卸的过滤器，并能够设置极紫外光光刻用的防护膜。提供的防护膜组件用支撑框，具有第一支撑框部、第二支撑框部和过滤器，所述过滤器具有平板状的框形状，被所述第一支撑框部和所述第二支撑框部夹持，所述第一支撑框部具有：第一主体部，具有平板状的框形状；以及第一卡合部，从所述第一主体部向所述防护膜组件用支撑框的厚度方向突出，所述第二支撑框部具有：第二主体部，具有平板状的框形状；以及第二卡合部，配置在所述第二主体部的沿所述防护膜组件用支撑框的厚度方向设置的凹部，并与所述第一卡合部卡合。

公开(公告)号：CN115836248A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180047315.X

申请日：2021-08-03

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  大久保敦 ,  高村一夫

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明的课题在于提供能抑制防护膜劣化的防护膜组件和曝光原版。防护膜组件包含：包含碳含有率为40质量％以上的碳系膜的防护膜(12)、支撑防护膜(12)的支撑框(14)、以及含有粘接剂的粘接剂层(15)；在23℃、1×10‑3Pa以下的气氛下，水系释气的合计量为5.0×10‑4Pa·L/sec以下。

公开(公告)号：CN115004108A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009908.7

申请日：2021-02-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  高村一夫 ,  石川比佐子 ,  小野阳介 ,  藤井泰久 ,  吉川弥 ,  松本信子 ,  出口朋枝

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。

公开(公告)号：CN112088334A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980017088.9

申请日：2019-03-01

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  高村一夫 ,  大久保敦 ,  种市大树 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明

IPC: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供抑制了从粘接层产生释气的防护膜组件。防护膜组件(100)具有：防护膜(101)；支撑上述防护膜的支撑框(103)；设置于上述支撑框的突起部(105)；设置于上述突起部的第1粘接层(107)；以及无机物层，上述无机物层与上述第1粘接层相比设置在上述防护膜所处的一侧。上述无机物层可以包含第1无机物层(109)，上述第1无机物层(109)设置于上述第1粘接层中作为与上述防护膜交叉的方向的侧面的、上述防护膜所处一侧的第1侧面(121)。

公开(公告)号：CN109313385A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035395.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  小野阳介 ,  高村一夫 ,  藤井泰久 ,  吉川弥

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明提供防护膜组件的制造方法，在基板(200)上形成防护膜(202)，在上述基板的与形成有上述防护膜的面相反侧的面上形成金属的掩模(204)，从上述金属掩模侧除去上述基板的一部分，除去上述金属掩模。根据本发明的一个实施方式，本发明能够提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。

公开(公告)号：CN104582960B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380043084.0

申请日：2013-09-13

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 坂田佳广 ,  福川健一 ,  冈崎真喜 ,  浦上达宣 ,  大久保敦

IPC: B32B27/34 ,  C08G73/10

CPC classification number: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08J2379/08

Abstract: 本发明的课题是提供一种具有光透过性高、面内相位差小、并且能够容易地从支持基材剥离的透明聚酰亚胺层的透明聚酰亚胺叠层体。为了解决上述课题，涉及一种含有支持基材、及叠层于所述支持基材上的透明聚酰亚胺层的透明聚酰亚胺叠层体的制造方法，所述方法包括下述工序：a)将含聚酰亚胺前体的溶液涂布于所述支持基材上的工序，所述含聚酰亚胺前体的溶液含有使四羧酸成分及二胺成分反应而成的聚酰亚胺前体与溶剂；以及b)在所述透明聚酰亚胺层的玻璃化转变温度以上，将包含所述含聚酰亚胺前体的溶液的涂膜的聚酰亚胺前体膜进行加热的工序；所述透明聚酰亚胺层的玻璃化转变温度为260℃以上，全光线透过率为80％以上，雾度为5％以下，L*a*b表色系统中的b值的绝对值为5以下，且面内相位差为10nm以下，从所述支持基材

公开(公告)号：CN115398334B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202180027875.9

申请日：2021-04-02

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  石川比佐子 ,  小川亮平 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎 ,  周英

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。

公开(公告)号：CN116594258A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310652861.7

申请日：2017-07-03

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为50nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述碳纳米管片具有面内取向的所述捆彼此缠绕的网状结构，该网状结构具有基于以特定观察倍率拍摄的特定范围的SEM图像或AFM图像观察到的、3根以上的捆缠绕而连结的捆的连结点。

公开(公告)号：CN116594257A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310652312.X

申请日：2017-07-03

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上，上述防护膜具有50％以上的透射率。

公开(公告)号：CN106662806B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201580046947.9

申请日：2015-09-17

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  种市大树 ,  小野阳介 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明 ,  大久保敦 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC: G03F1/64 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：第1框体，该第1框体配置有防护膜；第2框体，该第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，该贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，该过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。