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公开(公告)号：CN114824065A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111560133.0
申请日：2021-12-20
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种可变电阻存储器件包括：包括绝缘材料的支撑层；可变电阻层，在支撑层上并且包括可变电阻材料；盖层，在支撑层和可变电阻层之间，并且保护可变电阻层；在可变电阻层上的沟道层；在沟道层上的栅极绝缘层；以及多个栅电极和多个绝缘体，在平行于沟道层的第一方向上交替且重复地布置在栅极绝缘层上。盖层可以保持在可变电阻层中形成的氧空位。
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公开(公告)号：CN113054100A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN112309472A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010348380.3
申请日：2020-04-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
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公开(公告)号：CN114141815A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110648296.8
申请日：2021-06-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/24
摘要： 本发明公开了一种存储器件、包括该存储器件的电子装置以及该存储器件的制造方法，其中该存储器件可以包括：绝缘结构，包括第一表面和在第一方向上从第一表面突出的突起部分；记录材料层，在绝缘结构上并沿着突起部分的突出表面延伸以覆盖突起部分并且延伸到绝缘结构的第一表面上；沟道层，在记录材料层上并沿着记录材料层的表面延伸；栅极绝缘层，在沟道层上；以及栅电极，形成在栅极绝缘层上在面对绝缘结构的第二表面的位置。绝缘结构的第二表面可以是突起部分的突出的上表面。
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公开(公告)号：CN114079006A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110930323.0
申请日：2021-08-13
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供一种可变电阻存储器件以及包括该可变电阻存储器件的电子器件。该可变电阻存储器件包括可变电阻层以及在可变电阻层上彼此间隔开的第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层可以包括第一层和在第一层上的第二层。第一层包括三元或以上的金属氧化物，该三元或以上的金属氧化物包含具有不同化合价的两种或更多种金属材料。第二层可以包括硅氧化物。可变电阻存储器件可以由于在其中容易形成氧空位的金属氧化物而具有宽范围的电阻变化。第一导电元件和第二导电元件可以被配置为响应于所施加的电压而在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN113130508A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010805334.1
申请日：2020-08-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582 , G11C16/24 , G11C16/04
摘要： 公开了一种垂直非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。该非易失性存储器件的每个存储单元串包括：半导体层，在第一方向上延伸并具有与第二表面相反的第一表面；多个栅极和多个绝缘体，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个栅极与半导体层的第一表面之间以及在所述多个绝缘体与半导体层的第一表面之间沿第一方向延伸；以及电介质膜，在半导体层的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多个可移动的氧空位。
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公开(公告)号：CN113054099A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549731.3
申请日：2020-12-24
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。
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公开(公告)号：CN106961751A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611130231.X
申请日：2016-12-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H05B3/14
CPC分类号： H05B3/141
摘要： 提供包括纳米材料填料的加热元件、其制造方法和包括其的设备。所述加热元件包括基体材料和纳米材料型的填料。所述纳米材料型的填料可为纳米片填料或者纳米棒填料。所述纳米片填料可具有大于给定值例如1,250S/m的电导率。所述填料可包括如下的至少一种或至少两种：氧化物、硼化物、碳化物、和硫属化物。所述基体材料可为玻璃粉。所述玻璃粉可为例如氧化硅或者添加了添加剂的氧化硅。
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