有机发光二极管显示设备、其制备方法和母基板

    公开(公告)号:CN101752406A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910260660.2

    申请日:2009-12-18

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/1218 H01L27/3258 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管(OLED)显示设备、其制备方法和母基板,其中该OLED显示设备包括:基板,包括像素区和非像素区;缓冲层,置于该基板上;半导体层,置于该缓冲层上,并且包括沟道区和源极区/漏极区;栅极电极,被放置为对应于该半导体层的沟道区;栅极绝缘层,将该半导体层与该栅极电极绝缘;源极电极/漏极电极,电连接到该半导体层的源极区/漏极区;以及中间绝缘层,将该栅极电极与该源极电极/漏极电极绝缘,其中该缓冲层、该栅极绝缘层和该中间绝缘层的在该非像素区上的区域分别被去除,并且该部分地被去除的区域为面板区域的8%到40%。

    有机发光二极管显示设备、其制备方法和母基板

    公开(公告)号:CN101752406B

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN200910260660.2

    申请日:2009-12-18

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/1218 H01L27/3258 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管(OLED)显示设备、其制备方法和母基板,其中该OLED显示设备包括:基板,包括像素区和非像素区;缓冲层,置于该基板上;半导体层,置于该缓冲层上,并且包括沟道区和源极区/漏极区;栅极电极,被放置为对应于该半导体层的沟道区;栅极绝缘层,将该半导体层与该栅极电极绝缘;源极电极/漏极电极,电连接到该半导体层的源极区/漏极区;以及中间绝缘层,将该栅极电极与该源极电极/漏极电极绝缘,其中该缓冲层、该栅极绝缘层和该中间绝缘层的在该非像素区上的区域分别被去除,并且该部分地被去除的区域为面板区域的8%到40%。

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