有机发光二极管显示器

    公开(公告)号:CN102013433A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN201010274658.3

    申请日:2010-09-03

    CPC classification number: H01L27/1225 H01L27/124 H01L27/3262

    Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)显示器,包括:基板主体、形成在所述基板主体上的薄膜晶体管和形成在所述基板主体上的OLED。所述薄膜晶体管包括栅电极、以绝缘方式设置在所述栅电极上的氧化物半导体层、以及分别与所述氧化物半导体层相接触的源电极和漏电极。所述源电极和所述漏电极二者与所述氧化物半导体层相接触的部分沿与所述基板主体平行的方向以预定距离与所述栅电极分离。

    有机发光二极管显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102013432A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN201010253947.5

    申请日:2010-08-12

    Inventor: 崔钟炫

    CPC classification number: H01L27/1251 H01L27/1225

    Abstract: 一种有机发光二极管显示器及其制造方法,所述显示器包括:基板主体;在所述基板主体上的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极,所述第一栅极包括多晶硅,在所述第一栅极上的第一半导体层,第一源极和第一漏极;在所述基板主体上的第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层,所述第二半导体层包括多晶硅并与所述第一栅极在同一平面上,在所述第二半导体层上的第二栅极,第二源极和第二漏极;以及与所述第一薄膜晶体管连接的有机发光二极管。

    有机发光显示设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN102468324A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110304573.X

    申请日:2011-10-10

    Abstract: 提供了一种有机发光显示设备及其制造方法。有机发光显示设备包括:薄膜晶体管(TFT),包括有源层、栅电极和源/漏电极;电连接至TFT的有机电致发光器件,有机电致发光器件包括:以所描述的顺序堆叠的形成在与栅电极相同层上的像素电极、包括有机发光层的中间层以及对电极;和电容器,包括:底电极,形成在与有源层相同的层上并由与有源层相同的材料形成,并且利用杂质进行掺杂;顶电极,形成在与栅电极相同的层上;和金属扩散介质层,形成在与源/漏电极相同的层上并连接至底电极。根据有机发光显示设备及其制造方法,由于掩膜数目减小,因此可以实现成本降低和制造工艺简化。此外,可以降低由粗糙掺杂的电容器所导致的电阻增大的可能性。

    有机发光二极管显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101997025A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN201010253946.0

    申请日:2010-08-12

    CPC classification number: H01L27/1251 H01L27/1225 H01L27/3262

    Abstract: 本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。所述OLED显示器包括:基板主体;第一栅极和第二半导体层;在第一栅极和第二半导体层上的栅绝缘层;分别覆盖在第一栅极和第二半导体层上的第一半导体层和第二栅极;接触第一半导体层的不同部分的蚀刻阻挡层;在第一半导体层和第二栅极上的夹层绝缘层,所述夹层绝缘层包括分别使多个蚀刻阻挡层暴露的接触孔;在夹层绝缘层和接触孔上的第一源极和第一漏极,且第一源极和第一漏极通过蚀刻阻挡层与第一半导体层间接连接,或者与第一半导体层直接连接;以及在夹层绝缘层上与第二半导体层连接的第二源极和第二漏极。

Patent Agency Ranking