公开(公告)号：CN100481489C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610125721.0

申请日：2006-06-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  李相杰

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法。在同时形成金属互连和栅极电极时或在形成第一电极时，形成用于电连接元件的互连。从而，能减少使用掩模的次数，从而缩短总体制造工艺且降低制造成本。

公开(公告)号：CN100499083C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610093263.7

申请日：2006-06-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  李相杰

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127

Abstract: 提供了TFT和采用所述TFT的OLED的制造方法。所述CMOS TFT的制造方法包括：制备具有第一和第二薄膜晶体管区域的基板；在所述基板上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的预定区域上利用掩模形成半导体层；利用所述栅电极对所述掩模的背部曝光；利用受到背部曝光的掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入n型杂质离子，形成沟道区以及源极区和漏极区；对所述背部曝光掩模的两侧进行灰化；利用所述灰化掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入低浓度杂质离子，形成LDD区；以及向所述第二薄膜晶体管区域的半导体层内注入p型杂质离子，形成源极区和漏极区。