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    发光二极管触控显示装置
    1.
    发明授权
    发光二极管触控显示装置 有权

    公开(公告)号：CN107768382B

    公开(公告)日：2022-09-09

    申请号：CN201610700808.X

    申请日：2016-08-22

    申请人： 群创光电股份有限公司

    发明人： 蔡嘉豪

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G06F3/044 ,  G06F3/041

    CPC分类号： H01L27/1214 ,  G06F3/0414 ,  G06F3/044 ,  H01L27/32 ,  H01L27/323

    摘要： 一种发光二极管触控显示装置包括一薄膜晶体管基板以及一发光元件。薄膜晶体管基板具有一基板与一薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构设置于基板上，并包含一驱动晶体管。发光元件设置于薄膜晶体管结构上，并具有一第一端点电极、一发光层与一第二端点电极，第一端点电极与驱动晶体管电连接，发光层夹置于第一端点电极与第二端点电极之间；其中，以第一端点电极或第二端点电极作为发光二极管触控显示装置的一触控感测电极。

    有机发光二极管显示装置
    2.
    发明授权
    有机发光二极管显示装置 有权

    公开(公告)号：CN106328675B

    公开(公告)日：2019-07-16

    申请号：CN201610474133.1

    申请日：2016-06-24

    申请人： 乐金显示有限公司

    发明人： 朴洪基 ,  裵孝大

    IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52

    CPC分类号： H01L27/3246 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56

    摘要： 公开了一种有机发光二极管显示装置，包括像素区域以及在所述像素区域外部的边界区域，所述像素区域包括具有短边和长边的区域，所述像素区域包括发射光的像素的阵列，所述有机发光二极管显示装置包括：位于所述像素区域中和所述边界区域中的基板；位于所述像素区域中的基板上方的发光装置的第一电极；第一堤部，所述第一堤部覆盖所述像素区域中的第一电极的边缘并且所述第一堤部位于所述边界区域中的基板上，其中沿所述像素区域的短边的第一堤部的边缘的宽度不同于沿所述像素区域的长边的第一堤部的边缘的宽度；和第二堤部，所述第二堤部位于所述边界区域中的第一堤部的一部分上。

    阵列基板及其制备方法、显示装置
    6.
    发明公开
    阵列基板及其制备方法、显示装置 无效

    公开(公告)号：CN109148488A

    公开(公告)日：2019-01-04

    申请号：CN201811004236.7

    申请日：2018-08-30

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 肖辉 ,  徐源竣

    IPC分类号： H01L27/12

    CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259

    摘要： 本发明提供一种阵列基板的制备方法，提供一基板，其中，所述基板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层和覆盖所述有源层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离层，所述有源隔离层覆盖所述有源层；在所述有源隔离层背离所述第一绝缘层的表面涂布平坦材料层，所述有源隔离层隔离所述平坦材料层和所述有源层；图案化所述平坦材料层以形成平坦层。本发明所述阵列基板的制备方法在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面沉积形成结构致密的有源隔离层，可有效阻挡后续形成平坦层或像素层制程中的释放物污染所述有源层，提高阵列基板的可靠性，保证阵列基板的品质。本发明还提供一种阵列基板和显示装置。

    一种双层沟道薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
    7.
    发明公开
    一种双层沟道薄膜晶体管及其制备方法、显示面板 有权

    公开(公告)号：CN109037343A

    公开(公告)日：2018-12-18

    申请号：CN201810588216.2

    申请日：2018-06-08

    申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

    发明人： 张伟彬

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

    CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66742

    摘要： 本发明提供一种双层沟道薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，该方法包括：在缓冲层上形成第一有源层，在缓冲层上形成第一绝缘层，且第一绝缘层覆盖第一有源层；在第一绝缘层上形成栅极，并在第一有源层的两侧形成重掺杂区，栅极在第一有源层上的投影位于第一有源层两侧的重掺杂区之间；在第一绝缘层上形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖栅极；在第一绝缘层和第二绝缘层上刻蚀出过孔；在第二绝缘层上形成第二有源层，且第二有源层通过第一绝缘层和第二绝缘层上的过孔与第一有源层接触；在第一有源层的重掺杂区上方的第二有源层上形成重掺杂区；在第二有源层上的重掺杂区上制备源极和漏极。本发明可以提高薄膜晶体管的导通效率和迁移率，降低导通电阻。

    阵列基板及其制作方法、显示面板
    9.
    发明公开
    阵列基板及其制作方法、显示面板 无效

    公开(公告)号：CN108962919A

    公开(公告)日：2018-12-07

    申请号：CN201810659928.9

    申请日：2018-06-25

    申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

    发明人： 夏慧 ,  谭志威

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

    CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

    摘要： 本发明提出了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，本发明首先在衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层，在所述有源层上形成经图案化的第一光阻层，并在第一光阻层上依次形成欧姆接触层和第二金属层；通过剥离工艺，将所述第一光阻层以及第一光阻层上的欧姆接触层和第二金属层同时剥离，使得所述欧姆接触层和第二金属层通过一道光罩工艺形成预定图案，避免了对所述欧姆接触层进行非常复杂的蚀刻工艺，简化了该薄膜晶体管的制程工艺，节省了制程成本。