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公开(公告)号：CN101559920B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910051667.3
申请日：2009-05-21
申请人： 东华大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明涉及一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，包括：(1)以真空气氛管式电炉为合成环境，将ZnSe粉末与Ge粉末按照质量比为3～2∶2～1混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以p型硅基片为衬底；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～250Torr，同时持续通入氩气；(3)控制反应管温度为1100～1200℃，保温1.5～3h后，冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步热蒸发即可完成，且可重复性好；所制备的ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，其中心骨架由ZnSe和GeSe纳米线并轴形成的异质结构成，在纳米器件组装、传感器制造等诸多领域中有潜在应用。
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公开(公告)号：CN101377991B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810200963.0
申请日：2008-10-09
申请人： 东华大学
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 本发明涉及提高印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极场致电子发射性能的方法，包括：(1)铝衬底和碳纳米管的预处理，(2)碳纳米管浆料配制，(3)碳纳米管浆料的印刷，(4)碳纳米管印刷层的烧结处理，(5)碳纳米管薄膜的后期处理。该方法使纳米管与衬底间形成了良好的机械接触，进而改善了印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能；同时该方法使衬底上的无序碳纳米管形成垂直表面的碳纳米管阵列，形成更好的碳纳米管发射点，从而明显改善了纳米管薄膜的场致发射的稳定性、均匀性，降低了碳纳米管场致发射的开启电场，提高了发射电流密度。
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公开(公告)号：CN114156413A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111420901.2
申请日：2021-11-26
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供一种提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性的方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。该种提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性的方法，包括以下具体内容：S1.利用金属Ti片衬底作为阳极，Pt丝作为阴极，通过选择合适的电化学阳极氧化参数，制备出一系列TiO2纳米管结构，并在450℃进行退火处理使无定形纳米管转变为锐钛矿晶型；S2.通过控制反向电压对TiO2纳米结构进行表面金属钠离子掺杂，实现对TiO2纳米结构的表面态和界面晶体结构进行调控。通过对TiO2纳米结构进行表面阳离子掺杂，以期消除TiO2纳米结构的表面杂质，减少钙钛矿太阳能电池中因TiO2/钙钛矿界面产生的电子空穴复合，提升钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN113488343A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110434345.8
申请日：2021-04-22
申请人： 东华大学
摘要： 本发明属于电极材料制备技术领域，公开了一种基于MOFs多孔碳的多组分柔性电极、制备方法及应用，利用溶剂热法在柔性导电碳材料表面合成MOFs；对基于柔性导电碳材料的MOFs进行双掺杂；基于双掺杂MOFs构筑吸附‑插层‑转化协同机制的基于MOFs多孔碳的多组分柔性电极。本发明中电极充分利用材料之间的协同作用，克服单一阳极材料的局限，减弱钠离子的电化学动力学迟滞；在柔性碳材料导电基底表面制备双掺杂的MOFs衍生物柔性电极，获得了一种比表面积大，网络电导率和载流子迁移率高、结构稳定性好等优点的柔性阳极材料基底；提升了SICs能量密度、功率密度、倍率特性和循环稳定性的深层次机制。
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公开(公告)号：CN104556207B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510014338.7
申请日：2015-01-12
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种p型CZTS纳米棒的制备方法，其特征在于，包括：第一步：将Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O和硫脲溶解在二甲基亚砜溶液中，形成前驱体溶液；第二步：在镀有钼的玻璃衬底(Mo/SLG)上旋涂前驱体溶液并退火；第三步：在第二步所得的涂有前驱体溶液的玻璃衬底上重复进行第二步所述的旋涂前驱体溶液并退火的过程5?7次，得到p型CZTS纳米棒。本发明制备工艺简单，采用两步转速的spin coating方法即可完成，重复性较好；为其它四元硫族化合物纳米棒的制备提供了一个参考方法；为进一步提高Cu2ZnSnS4基太阳能电池的光电转换效率奠定了基础。
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公开(公告)号：CN104556207A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510014338.7
申请日：2015-01-12
申请人： 东华大学
CPC分类号： C01G19/006 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16
摘要： 本发明提供了一种p型CZTS纳米棒的制备方法，其特征在于，包括：第一步：将Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O和硫脲溶解在二甲基亚砜溶液中，形成前驱体溶液；第二步：在镀有钼的玻璃衬底(Mo/SLG)上旋涂前驱体溶液并退火；第三步：在第二步所得的涂有前驱体溶液的玻璃衬底上重复进行第二步所述的旋涂前驱体溶液并退火的过程5-7次，得到p型CZTS纳米棒。本发明制备工艺简单，采用两步转速的spin coating方法即可完成，重复性较好；为其它四元硫族化合物纳米棒的制备提供了一个参考方法；为进一步提高Cu2ZnSnS4基太阳能电池的光电转换效率奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101979723B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010555495.6
申请日：2010-11-23
申请人： 东华大学
IPC分类号： C30B29/50 , C30B29/62 , C30B23/00 , H01L31/0296
摘要： 本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的:三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管中央温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性好，克服了p型CdS纳米线制备的困难且稳定性好；所得产物有望大大推进基于CdS纳米线光电器件的发展，特别是有望解决宽带隙II-VI半导体材料p型掺杂的技术难题。
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公开(公告)号：CN101559920A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910051667.3
申请日：2009-05-21
申请人： 东华大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明涉及一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，包括：(1)以真空气氛管式电炉为合成环境，将ZnSe粉末与Ge粉末按照质量比为3～2∶2～1混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以p型硅基片为衬底；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～250Torr，同时持续通入氩气；(3)控制反应管温度为1100～1200℃，保温1.5～3h后，冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步热蒸发即可完成，且可重复性好；所制备的ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，其中心骨架由ZnSe和GeSe纳米线并轴形成的异质结构成，在纳米器件组装、传感器制造等诸多领域中有潜在应用。
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公开(公告)号：CN101439875A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810207244.1
申请日：2008-12-18
申请人： 东华大学
IPC分类号： C01G30/00
摘要： 本发明涉及一种水热法制备α－Sb2O4纳米棒的方法，包括：(1)称取0.004mol的SbCl3和0.015mol－0.2mol的I2依次放入50ml的高压釜中，缓慢倒入30－40ml的去离子水，均匀搅拌3－10分钟；(2)密封高压釜，拧紧置于恒温炉中，180－200℃温度下加热18－22个小时后，从恒温炉中取出，冷却至室温；(3)冷却至室温后，打开高压釜，取出沉淀物，用去离子水冲洗沉淀物3－5次，然后用真空过滤器过滤沉淀物，把沉淀物放在真空干燥箱中80－100℃下干燥4－5小时，得到乳黄色沉淀。该方法所用原料价廉易得，制备产品纯度高，产量高，且对环境没有污染。
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公开(公告)号：CN101377991A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810200963.0
申请日：2008-10-09
申请人： 东华大学
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 本发明涉及提高印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极场致电子发射性能的方法，包括：(1)铝衬底和碳纳米管的预处理，(2)碳纳米管浆料配制，(3)碳纳米管浆料的印刷，(4)碳纳米管印刷层的烧结处理，(5)碳纳米管薄膜的后期处理。该方法使纳米管与衬底间形成了良好的机械接触，进而改善了印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能；同时该方法使衬底上的无序碳纳米管形成垂直表面的碳纳米管阵列，形成更好的碳纳米管发射点，从而明显改善了纳米管薄膜的场致发射的稳定性、均匀性，降低了碳纳米管场致发射的开启电场，提高了发射电流密度。
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