公开(公告)号：CN101540254A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910049684.3

申请日：2009-04-21

申请人： 东华大学

发明人： 邹儒佳 ,  李大勇

IPC分类号： H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  H01J31/12

摘要： 本发明涉及提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法，包括：(1)铝衬底和碳纳米管的预处理，(2)碳纳米管浆料配制，(3)碳纳米管浆料的印刷，(4)碳纳米管印刷层的烧结处理，(5)碳纳米管薄膜的后期处理。本发明方法使纳米管与衬底间形成了良好的机械接触，进而改善了印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能；同时该方法使衬底上的无序碳纳米管形成垂直表面的碳纳米管阵列，形成新的碳纳米管发射点，从而明显改善了纳米管薄膜的场致发射的稳定性、均匀性，降低了碳纳米管场致发射的阈值场强，提高了发射电流密度。

公开(公告)号：CN101377991B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810200963.0

申请日：2008-10-09

申请人： 东华大学

发明人： 邹儒佳 ,  薛绍林 ,  李大勇 ,  王春瑞 ,  詹亚歌

IPC分类号： H01J9/02

摘要： 本发明涉及提高印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极场致电子发射性能的方法，包括：(1)铝衬底和碳纳米管的预处理，(2)碳纳米管浆料配制，(3)碳纳米管浆料的印刷，(4)碳纳米管印刷层的烧结处理，(5)碳纳米管薄膜的后期处理。该方法使纳米管与衬底间形成了良好的机械接触，进而改善了印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能；同时该方法使衬底上的无序碳纳米管形成垂直表面的碳纳米管阵列，形成更好的碳纳米管发射点，从而明显改善了纳米管薄膜的场致发射的稳定性、均匀性，降低了碳纳米管场致发射的开启电场，提高了发射电流密度。

公开(公告)号：CN101377991A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810200963.0

申请日：2008-10-09

申请人： 东华大学

发明人： 邹儒佳 ,  薛绍林 ,  李大勇 ,  王春瑞 ,  詹亚歌

IPC分类号： H01J9/02

摘要： 本发明涉及提高印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极场致电子发射性能的方法，包括：(1)铝衬底和碳纳米管的预处理，(2)碳纳米管浆料配制，(3)碳纳米管浆料的印刷，(4)碳纳米管印刷层的烧结处理，(5)碳纳米管薄膜的后期处理。该方法使纳米管与衬底间形成了良好的机械接触，进而改善了印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能；同时该方法使衬底上的无序碳纳米管形成垂直表面的碳纳米管阵列，形成更好的碳纳米管发射点，从而明显改善了纳米管薄膜的场致发射的稳定性、均匀性，降低了碳纳米管场致发射的开启电场，提高了发射电流密度。