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公开(公告)号：CN119318984B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411879904.6
申请日：2024-12-19
Applicant: 中南大学
IPC: B01J27/26 , B01J35/39 , B01J35/30 , C01B15/027
Abstract: 本发明属于光催化产H2O2领域，具体涉及一种Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用，该材料制备步骤为：将包含原料A、原料B的溶液进行溶剂热处理，随后进行焙烧处理，得到氰基修饰g‑C3N4材料；再将氰基修饰g‑C3N4材料和Pt源液相陈化、冷冻后在100‑500 mW的光照强度下进行光还原，制得所述的Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料；所述的原料A包含式1（#imgabs0#）、式2（#imgabs1#）中的至少一种；所述的原料B的化学式为MCl，其中，M为Na、K中的至少一种。本发明制得的材料能够意外地显著强化Pt、g‑C3N4复合效果，优化其光催化产H2O2的效果。
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公开(公告)号：CN114086205A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111365534.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 中南大学
IPC: C25B11/031 , C25B11/061 , C25B11/063 , C21D1/74 , C21D9/00 , C22F1/02 , C22F1/04 , C22F1/08 , C22F1/10 , C22F1/14 , C22F1/16 , C22F1/18 , C23F1/18 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供一种泡沫金属基改性材料的制备方法，涉及功能材料技术领域。本发明通过将市售泡沫金属进行裁剪、洗涤、酸处理改性、干燥、气相反应等步骤，制得本发明所述泡沫金属基改性材料。本发明所制得的泡沫金属基改性材料为原位改性材料，拥有优异的导电性和结构稳定性；此外，改性后的材料富含纳米孔道且表面异质金属比例可调，能有效加大电极/电解液接触界面，灵活调控和最优化材料的功能性应用。基于本发明的高活性、高导电性、高稳定性、高可控性以及简单易制备的优异特点，将之制成电极材料应用于电催化水解，具有过电位低、循环寿命长、法拉第效率高、生产成本低廉等有益特点，可适用于大规模商业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112517043B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011500100.2
申请日：2020-12-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮空位与羟基协同修饰石墨相氮化碳光催化剂及其制备和在光催化产氢中的应用。将三聚氰胺与草酰二肼混合后，进行煅烧，得到氮空位修饰g‑C3N4；将氮空位修饰g‑C3N4与氨水超声混合后，进行水热反应，即得氮空位与羟基协同修饰g‑C3N4光催化剂。该催化剂利用氮空位和羟基对光生电子‑空穴的协同作用提升g‑C3N4光催化剂的产氢速率，H2产率最高可达107.4μmol g‑1h‑1，且该催化剂的制备方法简单，成本低，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN113415821A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110612545.8
申请日：2021-06-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的制备方法及其应用，其制备过程为，以二氧化硅纳米球作为模板，加入的Zn、Cd离子与氨水发生络合并在弱碱性条件下水解生成羟基络合物，其与硫脲反应，通过连续反应刻蚀首先形成ZnxCd1‑xS壳层生长于二氧化硅球的表面，随即加入强碱除去二氧化硅模板，获得中空ZnxCd1‑xS纳米球。本方法通过连续反应刻蚀法实现中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的一步合成，避免在多步碱性刻蚀条件下Zn元素的损失。该方法制备的ZnxCd1‑xS具高光解水产氢活性，其在可见光照下最高实现2.52mmolg‑1h‑1产氢效率。此外，该制备工艺具合成简单、反应条件温和、原料丰富且低廉等优势。
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公开(公告)号：CN112517043A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011500100.2
申请日：2020-12-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮空位与羟基协同修饰石墨相氮化碳光催化剂及其制备和在光催化产氢中的应用。将三聚氰胺与草酰二肼混合后，进行煅烧，得到氮空位修饰g‑C3N4；将氮空位修饰g‑C3N4与氨水超声混合后，进行水热反应，即得氮空位与羟基协同修饰g‑C3N4光催化剂。该催化剂利用氮空位和羟基对光生电子‑空穴的协同作用提升g‑C3N4光催化剂的产氢速率，H2产率最高可达107.4μmol g‑1h‑1，且该催化剂的制备方法简单，成本低，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN119318984A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411879904.6
申请日：2024-12-19
Applicant: 中南大学
IPC: B01J27/26 , B01J35/39 , B01J35/30 , C01B15/027
Abstract: 本发明属于光催化产H2O2领域，具体涉及一种Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用，该材料制备步骤为：将包含原料A、原料B的溶液进行溶剂热处理，随后进行焙烧处理，得到氰基修饰g‑C3N4材料；再将氰基修饰g‑C3N4材料和Pt源液相陈化、冷冻后在100‑500 mW的光照强度下进行光还原，制得所述的Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料；所述的原料A包含式1（#imgabs0#）、式2（#imgabs1#）中的至少一种；所述的原料B的化学式为MCl，其中，M为Na、K中的至少一种。本发明制得的材料能够意外地显著强化Pt、g‑C3N4复合效果，优化其光催化产H2O2的效果。
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公开(公告)号：CN113415821B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110612545.8
申请日：2021-06-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的制备方法及其应用，其制备过程为，以二氧化硅纳米球作为模板，加入的Zn、Cd离子与氨水发生络合并在弱碱性条件下水解生成羟基络合物，其与硫脲反应，通过连续反应刻蚀首先形成ZnxCd1‑xS壳层生长于二氧化硅球的表面，随即加入强碱除去二氧化硅模板，获得中空ZnxCd1‑xS纳米球。本方法通过连续反应刻蚀法实现中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的一步合成，避免在多步碱性刻蚀条件下Zn元素的损失。该方法制备的ZnxCd1‑xS具高光解水产氢活性，其在可见光照下最高实现2.52mmolg‑1h‑1产氢效率。此外，该制备工艺具合成简单、反应条件温和、原料丰富且低廉等优势。
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