公开(公告)号：CN113534337B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110803249.6

申请日：2021-07-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  胡红禄 ,  段吉安

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本申请公开了一种硅光子芯片光耦合结构加工方法及结构，该方法包括：将第一SOI晶圆的器件层刻去一部分，第一SOI晶圆的器件层被刻去的部分露出埋氧层，第一SOI晶圆的器件层保留的部分至少包括：垂直锥波导；对第一SOI晶圆的器件层刻去的部分进行填充；对填充后的第一SOI晶圆的器件层进行抛光露出垂直锥波导的上表面；将第一SOI晶圆的器件层的上表面与第二SOI晶圆的器件层的上表面键合在一起，从第二SOI晶圆的埋氧层处剥离出第二SOI晶圆的器件层；在第二SOI晶圆的器件层加工出锥波导。通过本申请解决了现有硅光子芯片光耦结构和方案都存在制造工艺复杂且耦合效率不高的问题，从而实现硅光波导芯片与单模光纤的低损耗，简化了生产工艺。

公开(公告)号：CN113534337A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110803249.6

申请日：2021-07-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  胡红禄 ,  段吉安

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本申请公开了一种硅光子芯片光耦合结构加工方法及结构，该方法包括：将第一SOI晶圆的器件层刻去一部分，第一SOI晶圆的器件层被刻去的部分露出埋氧层，第一SOI晶圆的器件层保留的部分至少包括：垂直锥波导；对第一SOI晶圆的器件层刻去的部分进行填充；对填充后的第一SOI晶圆的器件层进行抛光露出垂直锥波导的上表面；将第一SOI晶圆的器件层的上表面与第二SOI晶圆的器件层的上表面键合在一起，从第二SOI晶圆的埋氧层处剥离出第二SOI晶圆的器件层；在第二SOI晶圆的器件层加工出锥波导。通过本申请解决了现有硅光子芯片光耦结构和方案都存在制造工艺复杂且耦合效率不高的问题，从而实现硅光波导芯片与单模光纤的低损耗，简化了生产工艺。