公开(公告)号：CN101393275A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810202063.X

申请日：2008-10-31

申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所

发明人： 焦新兵 ,  魏劲松 ,  干福熹

IPC分类号： G02B1/10 ,  G11B7/24

摘要： 一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特点在于其结构依次包括基片、介电层、超分辨掩膜层、热保护层、磁记录层和保护层，所述的基片为玻璃，所述的介电层、热保护层及保护层由SiN或SiO2构成，所述的超分辨掩膜层由Si(x)Ag(1－x)合金组成，其中x的取值范围为0＜x＜1，所述的磁记录层为TbFeCo。通过使用激光波长为406.7纳米蓝光辅助加热，数值孔径为0.80的物镜，外磁场为300奥斯特进行记录。得到了100纳米的记录磁畴。

公开(公告)号：CN100575986C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810202063.X

申请日：2008-10-31

申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所

发明人： 焦新兵 ,  魏劲松 ,  干福熹

IPC分类号： G02B1/10 ,  G11B7/24

摘要： 一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特点在于其结构依次包括基片、介电层、超分辨掩膜层、热保护层、磁记录层和保护层，所述的基片为玻璃，所述的介电层、热保护层及保护层由SiN或SiO2构成，所述的超分辨掩膜层由Si(x)Ag(1-x)合金组成，其中x的取值范围为0＜x＜1，所述的磁记录层为TbFeCo。通过使用激光波长为406.7纳米蓝光辅助加热，数值孔径为0.80的物镜，外磁场为300奥斯特进行记录。得到了100纳米的记录磁畴。

公开(公告)号：CN101101451A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710043931.X

申请日：2007-07-18

申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所

发明人： 焦新兵 ,  魏劲松 ,  干福熹

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  B23K26/00

摘要： 一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法，该薄膜结构包括无机相变薄膜层和缓冲层，所述的无机相变薄膜层由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层由热导率高的金属或半导体材料构成。该薄膜结构采用直流磁控溅射法制备，本发明薄膜结构具有膜层结构简单、工艺易控制和基片要求低等优点。试验证明可以明显减小激光直写光刻点和线宽的尺寸。