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公开(公告)号：CN102681200B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210138157.1
申请日：2012-05-04
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种提高超分辨相位板光斑性能的装置，特征在于其构成：沿光束前进方向依次是三环纯相位型超分辨相位板、数值孔径NA=0.95的物镜、Sb2Te3非线性饱和吸收薄膜，所述的三环纯相位型超分辨相位板的归一化半径为r1=0.13，r2=0.47，r3=1；三区的位相分别为：φ1=0，φ2=π，φ3=0；所述的物镜与所述的三环纯相位型超分辨相位板紧贴，所述的Sb2Te3非线性饱和吸收薄膜位于所述的物镜的焦平面，该Sb2Te3非线性饱和吸收薄膜的厚度的选择范围为10~100nm，非线性饱和吸收薄膜的线性吸收系数和非线性吸收系数分别为α0＝5*107/m和β＝-2*10-2m/w。本发明进一步减小光斑、降低旁瓣、延长焦深。
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公开(公告)号：CN101914756B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010217742.1
申请日：2010-07-02
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种激光直写微纳图形结构的方法，包括以下步骤：玻璃基片清洗、玻璃基片和溅射靶材安装、磁控溅射仪抽真空、下层介质膜层的溅射、相变材料膜层的溅射、上层介质膜层的溅射后获得激光直写薄膜和激光直写微纳图形。本发明可以获得良好的亚微米级图形结构。这种图形结构有望用于太阳能电池，液晶显示等领域。
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公开(公告)号：CN102681200A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210138157.1
申请日：2012-05-04
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种提高超分辨相位板光斑性能的装置，特征在于其构成：沿光束前进方向依次是三环纯相位型超分辨相位板、数值孔径NA=0.95的物镜、Sb2Te3非线性饱和吸收薄膜，所述的三环纯相位型超分辨相位板的归一化半径为r1=0.13，r2=0.47，r3=1；三区的位相分别为：φ1=0，φ2=π，φ3=0；所述的物镜与所述的三环纯相位型超分辨相位板紧贴，所述的Sb2Te3非线性饱和吸收薄膜位于所述的物镜的焦平面，该Sb2Te3非线性饱和吸收薄膜的厚度的选择范围为10~100nm，非线性饱和吸收薄膜的线性吸收系数和非线性吸收系数分别为α0＝5*107/m和β＝-2*10-2m/w。本发明进一步减小光斑、降低旁瓣、延长焦深。
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公开(公告)号：CN101892461A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010215237.3
申请日：2010-06-30
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种激光直写薄膜和激光直写微纳图形的方法，该激光直写薄膜是利用磁控溅射仪在玻璃基片上依次溅射的第一介质层、金属氧化物层和第二介质层而构成，所述的激光直写微纳图形的方法是采用绿光激光器对在高精度二维移动平台上的激光直写薄膜进行激光直写，以获得良好的亚微米级图形结构。本发明所制备的激光直写薄膜具有薄膜和基底之间附着力强、参数可控性好、薄膜致密度高、重复性高等优点。采用绿光激光器直写亚微米级图形结构有望用于太阳能电池，液晶显示等领域。
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公开(公告)号：CN100575986C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810202063.X
申请日：2008-10-31
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特点在于其结构依次包括基片、介电层、超分辨掩膜层、热保护层、磁记录层和保护层，所述的基片为玻璃，所述的介电层、热保护层及保护层由SiN或SiO2构成，所述的超分辨掩膜层由Si(x)Ag(1-x)合金组成，其中x的取值范围为0＜x＜1，所述的磁记录层为TbFeCo。通过使用激光波长为406.7纳米蓝光辅助加热，数值孔径为0.80的物镜，外磁场为300奥斯特进行记录。得到了100纳米的记录磁畴。
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公开(公告)号：CN1286090C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200410016971.1
申请日：2004-03-16
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种光存储特性静态测试系统，包括测试和监视观察两大部分，其特征在于：该系统采用三维可编程纳米平台控制系统中的物镜进行三维移动，实现读写光点的逼近和扫描，扩大了可测样品的范围，实现了测量自动化。在信息写入和读出过程中，光点和样品可以存在慢速相对运动，从而该系统还可以进行光存储特性的准动态测试。照明光由光纤导入监视观察系统，光纤的传光效率高、柔韧性好、长度可视具体情况加工，使监视观察系统具有很好的灵活性。
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公开(公告)号：CN1285947C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200410053443.3
申请日：2004-08-04
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G02F1/00
摘要： 一种可调控光镊子的装置，其构成是在入射平行光束的前进方向上置有可控三区域同心相位调节器和物镜，该可控三区域同心相位调节器自内向外由中心圆形相位区、内环形相位区和外环形相位区构成，并且相位调节面与光轴垂直，该可控三区域同心相位调节器的内环形相位区的内径和外径根据物质颗粒需要搬运的距离由衍射理论计算确定，中心圆形相位区和外环形相位区的相位相同，该可控三区域同心相位调节器与一相位调节控制器相连。本发明具有装置结构简单、操作方便、容易控制颗粒搬运距离和搬运方向的特点。
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公开(公告)号：CN1273975C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200410052781.5
申请日：2004-07-13
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G11B7/24
摘要： 一种超分辨近场结构光盘，包括锗锑碲记录层和聚碳酸酯光盘基片，特征在于其构成是在光盘基片上依次溅射：第一保护层、非线性掩膜层、第二保护层、记录层和第三保护层构成的，所述的非线性掩膜层为锑；所述的第一保护层、第二保护层和第三保护层都是氮化硅和二氧化硅的复合材料构成的；本发明综合了传统超分辨光盘和近场记录的优点，聚焦光束作用在非线性掩膜层上形成一个动态开关小孔(尺寸小于衍射极限)，聚焦光束通过小孔后，光斑大小在近场范围是由小孔大小决定而不是由衍射极限决定，所以可以不受衍射极限的限制，大大缩小记录点尺寸，提高光盘的存储密度，具有很高的实用化前景。
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公开(公告)号：CN1822150A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610018281.9
申请日：2006-01-23
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 查黎
摘要： 一种超透镜薄膜结构的超分辨数字光盘，包括超透镜薄膜2和盘基3，其特征在于：还有介电层1，它们依次为介电层1/超透镜薄膜2/盘基3，介电层1是氮化硅SiN或ZnS－SiO2；超透镜薄膜2是Ag、Au或Ag(x)Au(1－x)合金薄膜，其中x值在0－1之间变化；盘基3带有坑点，坑点尺寸小于380nm，最小坑点尺寸在200nm。该光盘结构，通过使用激光波长为650nm红光，数值孔径为0.60的光学头，实现信息坑点尺寸在200nm及其以上的动态读出。该光盘的单面单层容量达到12－15GB，双面单层的容量达到25－30GB。
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公开(公告)号：CN1725332A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510026067.3
申请日：2005-05-23
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G11B7/24
摘要： 一种表面等离子体增强型只读式超分辨数字光盘。该光盘的结构由“介电层/贵金属薄膜层/盘基”组成。所述的介电层由SiN或ZnS(x)－SiO2(1－x)组成，贵金属薄膜层由Ag或Au或Pt组成，盘基的最小坑点尺寸在200nm。使用该光盘结构，通过使用激光波长为650nm红光，数值孔径为0.60的光学头，实现坑点尺寸在200nm及其以上的读出。该只读式光盘的单面单层容量达到11.5GB，双面单层的容量达到23GB。
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