公开(公告)号：CN112906226B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202110205653.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 程奎 ,  罗卫军 ,  张荣华 ,  韦春 ,  夏志颖 ,  闫伟 ,  来龙坤 ,  蒋鑫 ,  陈晓娟

IPC: G06F30/20 ,  G01D21/02 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。

公开(公告)号：CN112906226A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110205653.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 程奎 ,  罗卫军 ,  张荣华 ,  韦春 ,  夏志颖 ,  闫伟 ,  来龙坤 ,  蒋鑫 ,  陈晓娟

IPC: G06F30/20 ,  G01D21/02 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。