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公开(公告)号：CN112906226B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110205653.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G01D21/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
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公开(公告)号：CN118413121A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310102986.2
申请日：2023-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M7/5387 , H02M7/483 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开一种逆变电路及其调制方法，涉及逆变技术领域，以用于解决现有的逆变器效率较低，谐波畸变率过大，会造成能源浪费的问题。所述逆变电路包括：依次电连接的电流源负载比较子电路、反向放大子电路、电平转移子电路以及全桥子电路。电流源负载比较子电路接收相应的正弦波信号与载波信号后，分别将相应的正弦波信号与载波信号进行比较处理，输出相应的第一比较信号和第二比较信号；反向放大子电路分别将第一比较信号和第二比较信号进行放大处理，输出对应的第一放大信号和第二放大信号；电平转移子电路分别将第一放大信号和第二放大信号进行电平转移处理，输出对应的多个电平转移信号；全桥子电路基于多个电平转移信号，输出目标调制信号。
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公开(公告)号：CN114499453A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210038979.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种品质因子增强有源滤波器及电子设备，涉及集成电路带通滤波器技术领域。包括：减法电路、以及分别与减法电路电连接的第一二阶品质因子增强有源滤波器电路和第二二阶品质因子增强有源滤波器电路；第一二阶品质因子增强有源滤波器电路和第二二阶品质因子增强有源滤波器均包括两两相互电连接的可变增益子电路、电感电容并联谐振子电路和负阻反馈子电路；减法电路和可变增益子电路连接；本申请具有增益调节范围大、增益和Q值调节时中心频点不变、中心频率可调谐、矩形系数好以及线性度高的技术效果，便与集成，可用于射频前端设备中。
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公开(公告)号：CN119154818A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310708970.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种逆F类功率放大器及通信设备，涉及集成电路技术领域，以解决现有的逆F类功率放大器在获得高效率的同时，电路面积较大的问题。所述逆F类功率放大器包括依次电连接的输入匹配电路、功率放大电路、谐波控制电路和输出匹配电路。输入匹配电路将输入阻抗匹配至功率放大电路的目标源阻抗后，基于接受到的输入信号输出输入匹配信号。功率放大电路对输入匹配信号进行功率放大后，输出功率放大信号。谐波控制电路控制功率放大信号在二次谐波处开路，在三次谐波处短路。输出匹配电路将输出阻抗匹配至功率放大电路的目标负载阻抗后，输出目标功率放大信号，其中，输出匹配电路中的漏极偏置传输线的电长度大于等于λ/8，且小于等于λ/6。
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公开(公告)号：CN118739881A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310332494.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M7/5387 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开一种氮化镓基单相半桥逆变电路及其调制方法，涉及逆变技术领域，用于解决现有技术中使用数字控制的IGBT逆变器会导致开关频率低，转换的电能质量低以及不利于电源小型化发展的问题。所述氮化镓基单相半桥逆变电路包括：第一反相放大子电路，用于对接收到的调制信号进行反相放大后，分别向电平转移子电路以及半桥子电路输出第一放大信号；电平转移子电路，用于对第一放大信号进行电平转移处理，向第二反相放大子电路输出电平转移信号；第二反相放大子电路，用于对电平转移信号进行反相放大后，向半桥子电路输出第二放大信号；半桥子电路，用于基于接收到的直流信号，结合第一放大信号和第二放大信号，输出逆变信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112906226A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110205653.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G01D21/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
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公开(公告)号：CN116418314A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111671025.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H11/46
Abstract: 本发明涉及一种单端口N‑path带通滤波器，属于可调谐N‑path滤波器技术领域，解决了现有N‑path滤波器存在的NMOS开关导通电阻引起的失真严重、线性度较低的问题。所述带通滤波器包括：信号源，输入电阻，输出电阻，N条并联的开关电容混频通路，以及，分相时钟产生电路；其中，所述信号源的输出端连接所述输入电阻的一端，所述输入电阻的另一端连接N条并联的开关电容混频通路的并联端、以及所述输出电阻的一端，输出电阻的另一端接地；开关电容混频通路由开关电容和NMOS开关管组成；其中，所述NMOS开关管的源极接地，栅极用于接收所述分相时钟产生电路输出的控制信号，漏极连接开关电容的一端，开关电容的另一端作为当前开关电容混频通路的并联端。
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公开(公告)号：CN119813988A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202311311779.4
申请日：2023-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于实现5.625°、2.8125°和1.40625°的高精度相移单元及移相器，属于射频集成电路技术领域，解决了现有技术中相移单元分辨率低以及相移精度差的问题。所述高精度相移单元包括：第一低通结构与第二低通结构并联；第一低通结构包括串联的NMOS晶体管和第一电感L1；NMOS晶体管的源极作为第一低通结构的输入端，同时作为高精度相移单元的信号输入端；NMOS晶体管的漏极，连接第一电感L1的一端；第一电感L1的另一端作为第一低通结构的输出端，同时作为高精度相移单元的信号输出端；相移平坦度调控单元并联在NMOS管的源极漏极之间；NMOS晶体管的栅极连接控制电压。实现了更高分辨率和更高相移精度的用于实现5.625°、2.8125°和1.40625°的相移单元。
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公开(公告)号：CN118821385A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310430934.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种包含kink效应的GaN HEMT大信号模型的建模方法，属于射频器件建模技术领域，解决了现有技术中模型不能准确反应GaN HEMT的工作状态和通用性低的问题。该方法包括：对GaN HEMT器件进行直流电学特性测试，获得实测数据，基于实测数据得到衍生数据；构建GaN HEMT漏电流直流模型，基于衍生数据得到GaN HEMT漏电流直流模型中kink效应相关参数的初值，并在仿真软件中对GaN HEMT漏电流直流模型进行仿真，获取仿真数据；建立大信号模型，基于仿真数据和实测数据对GaN HEMT漏电流直流模型中的参数进行优化，得到最终的大信号模型。实现了准确反应器件的工作状态，且可以用于不同衬底的GaN HEMT器件，通用性较高，提高了模型的精确度和集成电路设计的准确性。
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公开(公告)号：CN115225045A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110432310.0
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种电压转换器、方法及电子设备，涉及电路设计技术领域，以提高功率放大器的功率回退效率。所述电压转换器包括：电连接的驱动单元和全桥功率放大单元。所述驱动单元用于接入两对具有时延的差分信号，将所述差分信号进行两次放大及电平转移，获得两对具有时延的驱动信号；每对所述差分信号的摆幅小于预设摆幅。所述全桥功率放大单元用于在所述驱动信号的控制下，根据直流电压输出三电平信号。所述电子设备包括上述技术方案所提的电压转换器。所述电压转换方法应用上述电压转换器。
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